色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基于PN結隔離(JI)技術的驅動芯片簡介及設計指導

微云疏影 ? 來源:英飛凌工業半導體 ? 作者:英飛凌工業半導體 ? 2022-04-12 14:33 ? 次閱讀

自從1989年國際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅動產品以來,高壓集成電路(HVIC)技術就開始利用獲得專利的單片式結構,集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件,設計出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產品;這些高壓驅動芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。

2016年英飛凌完全收購IR后,英飛凌擁有了這項經過多年市場驗證的PN結隔離(JI)技術,該技術是一項成熟的、可靠的且經過市場驗證的技術。特有的HVIC和抗閂鎖CMOS技術可打造出可靠的單片式構造。先進的制造工藝生產出性價比最佳的產品,可面向電機控制開關電源等多種應用。

20220411140948607.gif

英飛凌PN結隔離(JI)技術的主要益處:

? 最大驅動電流可達4A

? 精密模擬電路(嚴格的時序/傳輸延遲)

? 擁有行業內數量最多的標準級門極驅動產品

? 電壓等級:1200V、600V、500V、200V和100V

? 驅動結構類型:三相、半橋、單通道等

? 最佳性價比

PN結隔離(JI)技術介紹

一個完整的半橋驅動芯片包含了耐高壓的高邊驅動電路和低邊驅動電路,其中高邊驅動電路包含高壓電平轉換電路和高壓浮動驅動電路。PN結隔離技術(JI)通過多晶硅環形成的“井”型高壓浮動開關,將可“浮動”600V或1200V的高壓電路與其他低壓電路在同一硅片上隔離,從而通過對地的低壓數字信號直接驅動需要高壓浮動開關的功率器件IGBTMOSFET。廣泛應用于各種常見電路拓撲中,包括降壓電路、同步升壓電路、半橋電路、全橋電路和三相全橋電路等等。

下圖分別是LDMOS電平轉換電路以及高低邊驅動CMOS的橫切面圖。

20220411140948170.jpg

電平轉移式高壓驅動芯片的內部框圖和工作原理

下圖是一個典型半橋驅動芯片的內部設計原理和結構。

20220411140948447.jpg

這個半橋驅動芯片高邊HVIC包含了:

脈沖發生器:在輸入信號HIN的上升沿和下降沿產生脈沖信號;

? 電平轉移電路:把以COM為參考的信號轉換成以VS為參考的信號;

? SR鎖存器:鎖存從電平轉移電路傳輸過來的脈沖信號;

? 緩沖器:放大輸入信號

? 延時電路:補償高邊信號的傳輸延時;

? 自舉二極管:在S2開通時對自舉電容進行充電。通過電平轉換電路,使相對于地(COM)的Hin信號轉換成同步的相對對于懸浮地(VS)的Ho信號,從而控制高邊S1的開關。

VS負壓和閂鎖效應

在半橋電路中,感性負載、寄生電感和下管反向續流可能在VS腳產生負壓。基于HVIC的構造,VS負壓可能導致HVIC失效。因此,如何抑制VS負壓,將是HVIC應用中的重要課題。

20220411140948193.jpg

pYYBAGJVHVCAXEKTAABD1570fnw694.jpg

L1,L2分別是上下管上功率器件的封裝電感和電路走線的寄生電感,當上管開通時,電流經過上管流過負載電感;上管關斷換流時,續流電流經過S2的體二極管,并在L1L2寄生電感上產生電壓,導致VS端產生了低于地線電壓的負壓。該負電壓的大小正比于寄生電感的大小和開關器件的電流關斷速度di/dt;di/dt由柵極驅動電阻Rg和開關器件的輸入電容Ciss決定。

20220411140948585.gif

VS負壓除了使Vbs超過芯片的絕對最大額定值,導致芯片過壓損壞;更多的時候是產生閂鎖效應,導致不可預測的結果。

poYBAGJVHVCAMGVrAABa5G4Czks363.jpg

pYYBAGJVHVCAcxwnAABnRYjXDo4885.jpg

如上圖,驅動芯片外延層到襯底有一個等效二極管D1(VB-COM),外延層-襯底-外延層有一個等效NPN三極管Q1(VCC-COM-VB)。當VS產生負壓時,D1/Q1可能導通,會引起HO跳變(在沒有輸入信號時,HO可能從低電平跳到高電平),從而導致半橋功率管短路使系統失效,或者引起驅動芯片的內部CMOS結構發生閂鎖效應,從而導致驅動芯片失效。

poYBAGJVHVCAPNccAAB1K7i6Np8549.jpg

pYYBAGJVHVCAZONfAABoi_FWmps675.jpg

上兩圖是來自客戶的一個實測雙脈沖波形,驅動芯片的輸入信號是低電平,但是輸出跳變成高電平,在上管關斷的時候VS腳的瞬變電壓達到了-130V,這個負壓使得HO從低電平跳變成高電平。

JI技術驅動芯片周邊電路設計指導

為了減小-VS(VS=-(Lp*di/dt+Vf)),在電路設計中需要做到:

1.使寄生電感最小化,減小驅動回路的走線,避免交錯走線。

2.半橋電路兩個功率管盡可能靠近安裝,它們之間連接盡量用粗短線

3.驅動芯片盡量靠近功率管

4.母線電源上的退耦電容盡量靠近功率管和電流檢測電阻

5.使用低寄生電感的電阻作為電流檢測電阻,并盡量靠近下面的功率管

6.VB-VS之間使用低寄生電感的瓷片電容

7.VCC-COM之間也要使用低寄生電感的瓷片電容,推薦使用的VCC-COM之間的電容容量是VB-VS之間的電容容量的十倍以上

8.退耦電容盡量靠近驅動芯片引腳

如果注意了上述事項,VS腳負壓仍然很大的話,可以考慮降低功率管的開關速度,以便降低開關時的電流變化率di/dt,例如:

1.外加緩沖電路

2.增大驅動電阻(注意:這種方法會增加功率管開關損耗)

評估板

用于200V半橋/高壓側和低壓側電平移位柵級驅動器IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S的步進電機評估板

帶退飽和檢測的電平轉換半橋柵極驅動器驅動1200V, 50 A EconoPIM?3模塊評估板

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • PN結
    +關注

    關注

    8

    文章

    482

    瀏覽量

    48773
  • 寄生電感
    +關注

    關注

    1

    文章

    156

    瀏覽量

    14606
  • 驅動芯片
    +關注

    關注

    13

    文章

    1290

    瀏覽量

    54716
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    半導體PN的形成原理和主要特性

    半導體PN的形成原理及其主要特性是半導體物理學中的重要內容,對于理解半導體器件的工作原理和應用具有重要意義。以下是對半導體PN形成原理和主要特性的詳細解析。
    的頭像 發表于 09-24 18:01 ?1734次閱讀

    型場效應管柵源極之間的pn

    型場效應管(JFET)柵源極之間的PN是其核心組成部分之一,對于理解JFET的工作原理和特性至關重要。以下是對該PN的介紹: 一、
    的頭像 發表于 09-18 09:51 ?567次閱讀

    驅動芯片退飽和保護(DESAT)應用指導

    電子發燒友網站提供《驅動芯片退飽和保護(DESAT)應用指導.pdf》資料免費下載
    發表于 08-29 11:23 ?2次下載
    <b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>芯片</b>退飽和保護(DESAT)應用<b class='flag-5'>指導</b>

    PN8054寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片中文手冊

    電子發燒友網站提供《PN8054寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片中文手冊.rar》資料免費下載
    發表于 07-30 11:11 ?18次下載

    摻雜對PN伏安特性的影響

    摻雜對PN伏安特性的影響是半導體物理學中的一個重要議題。PN作為半導體器件的基礎結構,其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜分布等因素。以下將詳細探討摻雜對
    的頭像 發表于 07-25 14:27 ?2176次閱讀

    什么是PN的反向擊穿?PN的反向擊穿有哪幾種?

    PN的反向擊穿是半導體物理學中的一個重要概念,它指的是在PN處于反向偏置狀態時,當外加的反向電壓增加到一定程度時,PN
    的頭像 發表于 07-25 11:48 ?5553次閱讀

    PN正向偏置和反向偏置的原理

    PN正向偏置和反向偏置是半導體器件(如二極管、晶體管等)中非常重要的兩種工作狀態,它們的工作原理基于PN獨特的電學性質。以下將詳細闡述PN
    的頭像 發表于 07-25 11:28 ?6510次閱讀

    PN是什么意思?光電倍增管有PN

    PN是半導體物理中的一個基本概念,它是由P型半導體和N型半導體接觸形成的界面區域。
    的頭像 發表于 05-27 16:54 ?897次閱讀

    晶閘管有幾個pn?晶閘管的參數有哪些?

    晶閘管是一種四層三端半導體器件,由多層PN組成。一個標準的晶閘管包含三個PN,這些PN結交替排列,形成四個半導體區域:陽極區、陰極區以及
    的頭像 發表于 05-24 18:07 ?3438次閱讀

    PN二極管和PN二極管的類型

    PNPN 二極管由具有兩個區域的半導體組成,即 p 區和 n 區,中間有一個。半導體材料的性質從p型變為n型的區或過渡區通常非常
    的頭像 發表于 05-05 15:20 ?1320次閱讀
    <b class='flag-5'>PN</b>二極管和<b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結</b>二極管的類型

    PN8035芯朋微 SOP8 12V400MA非隔離輔助電源芯片

    深圳市三佛科技有限公司供應PN8035芯朋微 SOP8 12V400MA非隔離輔助電源芯片 PN8035 輸入電壓150-265 VAC,6W(12V500mA)
    發表于 03-25 11:12

    pn加正向電壓時空間電荷會怎樣

    PN是一種常見的半導體結構,它由p型半導體和n型半導體組成,這兩種半導體材料具有不同的摻雜濃度,形成一個正負載流的結構。當在PN結上施加正向電壓時,會引起空間電荷效應,即在PN
    的頭像 發表于 03-01 11:14 ?2676次閱讀

    晶閘管有幾個pn幾個電極

    晶閘管是一種常用的電子器件,它是由多個PN組成的,主要包括兩個PN和三個電極。下面我將詳細介紹晶閘管的結構、原理和應用。 一、晶閘管的結構 晶閘管是一種由PNP型晶體管和NPN型晶
    的頭像 發表于 02-27 14:59 ?2752次閱讀

    PN 的認識

    ?單向導電性的,是二極管,不是PN!? 真正令 PN 導不了電的,關非 過不去,而是? 離不開及進不來, 交叉對流無障礙,背道而馳不允許,所以,當
    發表于 02-25 08:57

    PN器件如何導流

    將P型半導體連接到正電極,則耗盡層的幅度變窄,P型區域內的空穴越過PN移動到N型區域,N型區域內的電子則移動到P型區域。
    的頭像 發表于 02-06 10:58 ?968次閱讀
    <b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結</b>器件如何導流
    主站蜘蛛池模板: 国产精品一区二区三区四区五区| 亚洲成色WWW久久网站夜月| eussse手机电影在线观看| 午夜在线观看免费完整直播网页 | 江苏电台在线收听| xxxxx69hd杨幂| 中文中幕无码亚洲在线| 天堂网久久| 啪啪啪社区| 伦理片92伦理午夜| 国产自产第一区c国产| 福利一区福利二区| hd性欧美俱乐部中文| 在线亚洲免费| 亚洲卫视论坛| 亚洲 欧美 制服 视频二区| 日本全彩黄漫无遮挡| 嫩小xxxxbbbb| 美女激清床上戏大全| 久艾草在线精品视频在线观看| 国产成人无码视频一区二区三区 | 国产午夜一级鲁丝片| 粉嫩AV国产一区二区福利姬| 97人人爽人人爽人人人片AV| 伊人网综合| 亚洲免费综合色视频| 甜性涩爱快播| 色婷婷AV国产精品欧美毛片| 欧美精品AV精品一区视频| 美国caopo超碰在线视频| 久久精品男人影院| 好男人在线观看免费视频WWW | 欧美亚洲天堂网| 內射XXX韩国在线观看| 老鸭窝毛片| 久久久精品免费免费直播| 激情A片久久久久久久| 国内久久久久影院精品| 国产在线精品亚洲二品区| 国产亚洲欧美高清在线| 国产午夜精品一区二区三区|