臺積電報告稱正全力以赴地開發下一代工藝節點。臺積電計劃在今年晚些時候將投產首批 3 納米工藝,并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準備。
2 納米節點的時間表上,魏哲家表示:“我們的 N2 開發正在進行中。我們有信心,N2將繼續保持我們的技術領先地位,支持客戶的增長。而且我們仍然計劃在2025年投產。預生產將在 2024 年開始”。也就是說臺積電2nm芯片將于2025年量產。
同時,臺積電(TSMC)曾對外公開表示,該公司在3nm工藝開發上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B,2023年第二季度將有可能量產3nm制程的N3E,比預計提前了半年。
N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構,推出的時候將成為業界最先進的PPA和晶體管技術,同時也會是臺積電另一個大規模量產且持久的制程節點。
據悉,在 N2 上臺積電首次使用 GAA FET(全環繞柵極晶體管),逐漸取代 finFET (鰭式場效應晶體管)。三星已經開始使用他們版本的GAA,英特爾計劃在2024年實施他們的版本。
文章綜合 cnBeta.COM、CNMO手機中國
編輯:黃飛
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