從第三代半導體說起
從目前第三代半導體材料及器件的研究來看,較為成熟的第三代半導體材料是 SiC 和 GaN,而 ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段。換言之,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是目前最為成熟的,商業化程度最高的第三代半導體材料,資本市場就是如此,有的時候很浪漫,比如酒的故事可以說上200年,有的時候確很現實,沒有盈利模式就一無是處,薄膜光伏電池、第三代半導體都是如此。
GaN優勢與多領域市場應用
GaN是一種III/V直接帶隙半導體,通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域。受電信基礎設施和國防兩個方向應用推動,加上衛星通信、有線寬帶和射頻功率的需求增長,根據中信建投的測算,GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。在GaN RF領域內,美日廠商遙遙領先,而相關專利領域的新進入者主要是中國廠商,例如 HiWafer(海威華芯),三安集成、華進創威。
現行汽車的特點和功能是耗電和電子驅動,給傳統的12V配電總線帶來了額外負擔。對于48V總線系統, GaN 技術可提高效率、縮小尺寸并降低系統成本。綜合來看,GaN 在汽車電子方面擁有豐富的應用場景。
由于GaN充電器具有體積小、發熱低、功率高、支持PD協議的特點,GaN充電器有望在未來統一筆記本電腦和手機的充電器市場。隨著中國OEM廠商 OPPO在其 65W 快速充電器中采用 GaN HEMT,功率 GaN 正在進入主流消費應用。
GaN 是藍光LED 的基礎材料,在 Micro LED、紫外激光器中有重要應用。Micro LED被認為是下一代顯示技術,而硅襯底GaN 基技術的特性是制造 Micro LED 芯片的天然選擇。
此外,GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值,也是國際上的研究熱點。基于氮化鎵半導體的深紫外發光二極管(LED)是紫外消毒光源的主流發展方向。
GaN相關上市公司
三安光電:GaN 射頻、功率器件、深紫外 LED 芯片全布局
海特高新:GaN 器件代工
其他廠商:華燦光電、士蘭微
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