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IGBT開關損耗產生的原因與PiN二極管的正向恢復特性

電力電子技術與應用 ? 來源:耿博士電力電子技術 ? 作者:Dr Geng ? 2022-04-19 16:00 ? 次閱讀

01前 言

大家好,這期我們再聊一下IGBT的開關損耗,我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會釋放功率,對外做功產生熱量。那為什么IGBT開關過程會有這樣的特性?也就是為什么對于開通暫態電流先上升電壓后下降,而對于關斷暫態電壓先上升而電流后下降呢?估計很多小伙伴沒有想的太清楚,下面我們就來聊一下這個話題...

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02開通暫態分析

為了便于分析,我們還是以雙脈沖測試電路為例進行分析,在這里還要強調一下由于大部分工業應用負載都是感性的,因此在分析雙脈沖測試時,只要接個電感就可以了。對于開通暫態分析我們主要關注雙脈沖的第2個脈沖的開通暫態過程,至于原因相信大家應該都比較清楚了,第一個脈沖電流從0開始上升,不會產生開通損耗,而對于工作在開關狀態的IGBT第2、3、4、5…、n個脈沖的開通暫態本質上都是一樣的,只是電流大小逐漸增大,通過改變第1個脈沖的寬度就可以模擬出不同電流下的開通暫態行為,所以只需要雙脈沖就可以完成所有電流下的開通暫態分析。

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假設t0時刻以前S1已經歷過一次開關狀態,且處于關斷穩態,此時負載電感正在通過續流二極管D2續流。t0時刻S1接收到開通命令,經過開通延遲時間后,在t1時刻,S1的柵極達到開啟閾值,正式開始了與鄰家小弟D2的電壓和電流的控制權爭奪之戰。二極管小弟D2雖然仰仗負載電感大哥,把控著電流控制權,但是在鄰居S1和電源大哥Vdc的雙重壓迫下,不得不開始先把電流控制權移交出去,因此在t1時刻S1的電流迅速上升,而D2的正向電流也以同樣的速率快速下降,很快在t2時刻完成了交接(不考慮反向恢復過程)。

那為啥在電流交接的過程S1和D2兩者的電壓卻沒什么變化呢?原來D2小弟還有個本領,只要有電流通過,那我就會保持正向導通狀態,既然自己處于正向導通狀態,那S1的集電極電壓還依然就是Vdc。S1知道二極管有這個特性,過早爭奪也沒意義,心想只要把D2的電流控制權要過來后,自然也不會受D2的控制了。因此在t2時刻伴隨著電流交接完成,S1的電壓開始下降,D2也開始承受反向電壓(圖中的電壓缺口是回路雜感引入的,在這里我們就不分析了,可以用虛線把缺口補上,代表無雜感狀態),S1知道電壓控制權一旦要過來,那剩下的就完全靠自己了,電壓的下降時間取決于自身的“化功大法”(電導調制),電流越大,需要的時間越長。關于電導調制的概念前面也提到過,和PiN二極管類似,詳細可以參考這篇文章:

如何理解PiN二極管的正向恢復特性?

看到這里相信大家也應該明白了,造成IGBT開通損耗的主要原因為上一個開關狀態對管的續流二極管在續流,只有當二極管電流下降到0時,IGBT電壓才會下降,而電壓下降還要看電導調制時間,這樣就造成了開通暫態電壓和電流的交疊現象,當然本質原因還是電感負載導致,讓我們再來看看關斷暫態過程。

03關斷暫態分析

對于關斷暫態分析,我們還以雙脈沖測試電路為例進行說明,由于我們只關注關斷暫態,因此單脈沖分析也是可以的。

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在t0時刻之前IGBT S1處于導通狀態,t0時刻S1接收到關斷指令,此時是S1也嘗試關斷集電極電流,但是S1自己都不知道此時集電極電流已經被完全外部電感控制了,但是命令已然下達,S1也有很強的適應能力,雖然模塊內部電流分布已經波濤洶涌,但外部表現依然風平浪靜(由于IGBT是雙極性器件,電子和空穴都導電,接收到關斷命令后,電子電流受門極控制很快消失,為了維持負載電流不變,空穴電流義不容辭迅速增加)。這個過程其實是很復雜的,老耿不詳述了,詳細可以參考以前的文章:

IGBT關斷過程是怎樣的?(第一講)

這樣由于內部載流子和電場的復雜變化,對外表現就是電壓先建立起來,當S1的集電極電壓高于母線電壓和上管D2的正向壓降時,負載電流突然發現了一個新的低阻抗支路,所以也就不好一直賴在S1這里不走了,迅速的切換到D2支路。此時S1肯定在想,你再不走,老子就芭比Q了,多虧隔壁鄰居的好哥們D2幫忙,想到剛剛還和D2在爭奪電壓、電流的控制權,現在又想轉移出去,實在慚愧不已。看到自家的哥們D1正在悠閑的刷著抖音,真是遠親不如近鄰,剛想上去罵兩句,緩解一下剛剛被折磨的情緒,深入一想朋友都是有來有往,既然我得依賴鄰居的D2,那鄰居的S2也要依靠自家的兄弟D1,也就趕緊閉上了嘴,大家還是和平共處吧,不然炸雞了,都遭殃。正在思索著,突然又接收到開通命令,一股強烈的電流自下而上貫穿整個身體,好吧,認命吧。。。

看到這里大家應該明白IGBT關斷損耗產生的原因了吧,又是負載電感搞的鬼。由于IGBT每次開關過程都會被負載電感折磨一次,每次都會讓自己發熱,久而久之多多少少都會受到一些影響,這也就是為什么高可靠產品都開始關注IGBT的壽命計算了。關于二極管產生損耗的原因,老耿就不說了,大家可以自行分析一下,有問題可以私信我。

原文標題:IGBT為什么會產生開關損耗?

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審核編輯:湯梓紅
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原文標題:IGBT為什么會產生開關損耗?

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