RT6204應用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器，具有外部補償和外部軟啟動功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開關和同步整流器開關。可以通過一個簡單的電阻分壓器設置輸出。具有外部補償?shù)碾娏髂Ｊ娇刂瓶梢葬槍Ω鞣N輸出電容器（從低 ESR 陶瓷電容器到鋁電解電容器）調(diào)整轉(zhuǎn)換器控制回路。這使設計人員可以自由地為任何輸出電壓應用選擇最合適且最具成本效益的組件。

圖1

以下指南可用于計算各種應用程序組件：

·輸入輸出電壓注意事項：

RT6204的輸出電壓可以通過R1和R2從0.8V調(diào)整到50V：

反饋網(wǎng)絡的阻抗并不重要，但建議避免使用過高的電阻值以降低對噪聲的敏感度。建議將 R2 設置在 10kΩ ~ 30kΩ 之間。

RT6204具有 90nsec 的最低開啟時間，在 CCM 模式下實現(xiàn) 90nsec ? 350kHz = 3.15% 的最小占空比。應該注意的是，在接近其最小導通時間的情況下運行轉(zhuǎn)換器會影響輸出紋波和過流保護行為。這將在第 3 章中解釋。

當RT6204在超過 65% 的高占空比下運行時，應通過 D1 添加外部自舉電源。建議外部自舉電源在 3.3~3.8V 左右。（3.5V以下D1最好是肖特基二極管）

·對于L1 的電感值，需要考慮兩個主要標準：電感電流紋波和斜率補償。對于占空比低于 50% 的應用，可以計算電感以提供 IC 0.5A 額定電流 （ΔI L = 150mA） 的 30% 的紋波電流：

·在占空比可以超過 50% 的應用中，電感電流下降斜率 dI/dt 也需要適合轉(zhuǎn)換器內(nèi)部斜率補償：L1 值需要滿足以下標準： μH

·對于輸出電容的選擇，有幾個考慮：

一種。CCM 模式下的輸出紋波

CCM 模式下的輸出紋波可由下式計算

CCM 模式電感紋波可通過以下公式計算：

在這些低壓電源中使用陶瓷輸出電容器時，CCM 模式下的輸出紋波電壓會很小。

灣。PSM 模式下的輸出紋波

PSM 模式下的輸出紋波將取決于 PSM 模式下的峰值電流和負載電流。最壞的情況將發(fā)生在零負載：

RT6204將 PSM 模式下的電感峰值電流調(diào)節(jié)在 150mA 左右，但傳播延遲約為 80nsec，因此在高 V IN和低 V OUT時，峰值電流會增加。PSM 輸出電壓紋波將始終高于 CCM 紋波。

C。負載瞬變期間的電壓驟降

CCM 模式下負載瞬態(tài)期間的電壓暫降取決于負載階躍、控制環(huán)路速度和輸出電容?？焖儇撦d階躍期間電壓暫降的近似公式如下所示：

其中 ΔI STEP是負載階躍幅度，F(xiàn) BW是轉(zhuǎn)換器控制帶寬。請注意，PSM 和 CCM 模式操作之間的負載階躍轉(zhuǎn)換將顯示更高的電壓暫降。轉(zhuǎn)換器帶寬通常設置為開關頻率的 1/10 左右，使用電解電容器時除外：ESR 隨溫度的變化將需要較低的帶寬設置，以保證在整個溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。轉(zhuǎn)換器帶寬可以通過補償電阻R COMP設置。

·輸入電容注意事項

輸入電容器提供轉(zhuǎn)換器的高頻開關電流峰值。輸入電容的選擇應為轉(zhuǎn)換器輸入提供足夠的濾波，以最大限度地減少 V IN高頻紋波。低 ESR 陶瓷電容器應靠近轉(zhuǎn)換器 VIN 和 GND 引腳放置。在高輸入電壓下，陶瓷電容器的電容會嚴重降低，在計算輸入紋波電壓時應考慮到這一點。峰峰值輸入紋波電壓可以近似為：

其中 C IN是直流輸入電壓下的電容。

您通常需要至少 1μF 的電容和 100V 的額定電壓，這將需要 0805 或 1206 尺寸的 MLCC。

輸入電容器的另一個考慮因素是其 RMS 電流額定值：

當 V OUT為 V IN的 50% 時，將出現(xiàn)最大 RMS 電流。

RT6204 的最大負載電流為 0.5A，輸入電容的最大 RSM 電流為 0.25A。對于 0805 或 1206 尺寸的陶瓷電容器，該值通常并不重要。

如果轉(zhuǎn)換器需要熱插入帶電輸入電源，建議添加一個與陶瓷輸入電容并聯(lián)的小型電解電容。

·補償分量的計算。

RT6204補償可以使用標準電流模式類型 II 補償?？梢允褂靡韵潞唵蔚墓剑?/p>

補償器增益由 R COMP設置，并計算該值以提供合適的轉(zhuǎn)換器交叉頻率（F C約為 0.1 ? F SW） 并具有足夠的相位裕度。

請注意，電解輸出電容器需要較低的帶寬，請參見第 5 章。

選擇C COMP的值以將補償零設置為 略低于轉(zhuǎn)換器負載極點 ，其中 R LOAD = V OUT /0.5A。

選擇C P的值以將高頻極點設置在輸出電容 ESR 為零：

當使用陶瓷輸出電容器時，ESR 零將位于非常高的頻率，高于轉(zhuǎn)換器的開關頻率。對于使用陶瓷輸出電容器的低 V OUT應用， 可以省略C P。

通常不需要前饋電容器 Cff 來改善控制回路響應。但是一些小的 Cff 電容有時可以改善 PSM 的操作；通過在 FB 引腳上注入一些額外的紋波，可以減少雙脈沖。這可以逐案測試。

·軟啟動電容器設置時間 t SS從 EN 高到 V OUT達到其最終值，該值由 定義 。C SS是軟啟動電容的值，I SS 是軟啟動電流（通常為 6μA）。V OUT在 V SS斜坡經(jīng)過 0.3V時開始上升，并在 V SS 斜坡經(jīng)過 1.1V 時結(jié)束。

因此，V OUT上升時間可以通過下式計算： 。

具有高輸出電壓和/或大容量輸出電容器的電源應使用足夠的軟啟動時間以避免高浪涌電流。

·轉(zhuǎn)換器可以通過拉高 EN 引腳來使能。EN 邏輯高電平通常為 1.25V。EN 上有一個 1μA 的下拉電流。為了在施加 V IN時自動啟動，EN 引腳可以連接一個 100k 上拉電阻到 V IN。EN 引腳可承受 60V 電壓。