本篇KOAN凱擎小妹將逐一講解無源晶振測試報告中的電性能參數(shù)含義。下圖為KOAN諧振器7050, 8MHz的實測數(shù)據(jù)報告:
C0&C1
C0靜態(tài)電容:晶體兩引腳之間的電容;
C1動態(tài)電容:表征振動能力,兩者與晶片電極面積和頻率大小成正比。
RR&Q
RR動態(tài)等效串聯(lián)電阻(能耗)取決于晶體內(nèi)部摩擦、電極、支架等機械性振動時的損失,以及周圍環(huán)境條件等的影響損失。
RR與Q值(品質(zhì)因數(shù))成反比,Q值由生長水晶料品質(zhì)決定,越高,固有頻率越穩(wěn)定。L1動態(tài)等效串聯(lián)電感,表征振動質(zhì)量,與頻率大小成反比。
RL晶體加負載電容的諧振阻抗。根據(jù)阻抗大小,可以評估振蕩電路設(shè)計振蕩寬限,滿足振蕩電路的振幅條件和激勵功率等級。
評估晶振品質(zhì)要素:
Q值越高越好;RR越小越好,批量一致性要好。
FR&FL
晶體的串聯(lián)諧振頻率FR: 晶體本身固有的特性:
負載頻率(調(diào)制頻差)FL:在某一負載下的諧振頻率,高于FR。
調(diào)整頻率:指常溫25℃和標準負載電容條件下的振蕩頻率;
調(diào)整頻差:一定負載電容的晶體頻率公差(加工誤差)。
評估晶振品質(zhì)要素:
單個誤差越小越好,批量一致性越高越好。
TS
TS值是負載電容每變化1pF時FL的變化量(單位ppm/pF)。
KOAN晶振建議您根據(jù)實際電路頻率高低誤差大小,判斷外接匹配電容多大合適。
I&PWR
電流I: 晶體在諧振時,流過晶體的電流值,RR越大電流越小。
激勵功率PWR:實際跨在晶體上的功率。可以根據(jù)其大小評估激勵功率等級和匹配相應(yīng)的限流電阻。
DLD2
不同激勵功率下的最大與最小阻抗差值。激勵功率變化引起的阻抗變化,由殘留應(yīng)力和制造污染造成,越小越好。
CL
CL是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容(晶振外接的匹配電容是其一部分),主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻,與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率,通過調(diào)整負載電容,就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標稱值。晶體小型化發(fā)展導(dǎo)致C0變小,相應(yīng)CL變低。
Cs為晶體兩個管腳間的寄生電容;
Cd表示晶體振蕩電路輸出管腳到地的總電容,包括PCB走線電容、芯片管腳寄生電容、外加匹配電容CL2;
Cg表示晶體振蕩電路輸入管腳到地的總電容,包括PCB走線電容、芯片管腳寄生電容、外加匹配電容CL1。
溫度頻差/溫度穩(wěn)定性
溫度頻差是在一定溫度變化范圍內(nèi)的的頻率變化量。凱擎小妹建議您選擇KOAN晶振時,可根據(jù)產(chǎn)品使用溫度環(huán)境,和最大頻率變化容忍度,提出質(zhì)量等級要求。
審核編輯 :李倩
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原文標題:晶體諧振器電性能參數(shù)介紹
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