靜電放電又稱為ESD,是電子電路中普遍需要應對的問題,一般我們選用電容器作為ESD保護器件,價格便宜,效果也比較好。事實上有多種方法可以保護器件免受 ESD 影響,比如TVS等,我們今天重點介紹一下電容器充當ESD保護器件的計算選型。
下面是一個典型電路,其中陶瓷電容器安裝在具有裸露跡線以防止 ESD 的 IC 中。
1.電容器充當ESD保護器件的原理
電容是一種無源器件,能夠在其極板上存儲電荷。舉個例子,如果一個人在鋪有地毯的地板上行走,人和地板就像電容的兩個極板,地毯把兩個極板隔開,此時人和地板就可以等效成電容,人的身體就會積累電荷,此時用手觸摸裸露的IC引腳時,身上的電荷會釋放到IC上,從而可能導致IC被靜電擊穿。
ESD的等效模型如下圖所示,C ESD表示體電容,而V ESD是與該電容相關的靜電放電峰值電壓。在我們之前的一個項目中,我們假定C ESD和 V ESD分別為330pF 和 8kV。
2.電容器充當ESD保護器件的容值計算
因此,當在鋪有地毯的地面上行走時,體內的電荷可以被視為初始電荷。根據電荷方程 Q=C*V,我們可以根據上圖列出以下方程:Qinitial=C ESD*V ESD;
當觸摸裸露的IC引腳時,根據電荷守恒定理,體內的電荷會轉移到IC引腳和引腳旁邊的電容器上,等效電路如下:
電容兩端最終的電荷是:Qfinal=Cfinal*Vfinal;其中Cfinal 是 C1和C ESD的并聯電容值, Vfinal是施加在IC引腳上的等效靜電放電電壓,這也是電容C1將承受的電壓。Cfinal =C1+C ESD;
根據電荷守恒:Qinitial=Qfinal;
C ESD*V ESD=Cfinal*Vfinal;
那么Vfinal可以計算如下:
電容C1可以計算如下:
以上就是當電容用于靜電防護時,電容選型容值以及電壓的計算。
審核編輯:湯梓紅
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