色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

晶圓高效干燥的方法詳解

華林科納hlkn ? 來源:華林科納hlkn ? 作者:華林科納hlkn ? 2022-05-05 16:38 ? 次閱讀

傳統濕法清洗工藝在新一代半導體制作中具有根本的局限性,而濕法清洗后利用超臨界二氧化碳的干燥法是克服這一局限性的替代方法,考察了超臨界干燥法作為中間置換溶劑對IPA的二氧化碳溶解度。

首先為了比較,采用超臨界二氧化碳的干燥方法與傳統濕法干燥方法,將IPA中的蝕刻試樣之一置于自然狀態,另一試樣在40℃、140bar條件下超臨界二氧化碳, 4分鐘后用SEM觀測,并觀察了IPA的stiction程度,其長寬比增長率為2.5,最大長寬比為37.5的示例,長寬比15后均可見下支撐體粘附現象,但是用超臨界二氧化碳,可以看到長寬比沒有stiction到最大長寬比由于用最大長寬比為37.5的示例很難判斷超臨界二氧化碳的效果,所以用最大長寬比為75的示例2觀察了不同時間、不同壓力、不同溫度的效果。

為了了解懸臂梁在不同流動時間下的靜摩擦力程度,對不同流動時間分別進行了6分鐘、8分鐘、10分鐘和12分鐘的實驗,結果表明:6分鐘時高寬比為30,8分鐘時為45,10分鐘時為55,12分鐘時為65,可見懸臂梁不發生坍塌,這使得flow時間越長,IPA的去除量越大,結構的stiction就越小。(圖1)在此基礎上對IPA各內部余量的長寬比進行了比較分析, 基于前面使用VOC的數據,當室內余量為850ppm時,長寬比為37.5,當407.8 ppm時,長寬比為45,當230.6 ppm時,長寬比為65。

pYYBAGJzjSCAUXixAABjpxqd1ac702.jpg

圖1

該結果表明,IPA內部余量的減少,表明極限長寬比升高,并可在此基礎上增加高長寬比圖案制作的可能性。另外,當內部余量下降到200ppm左右時,長寬比為65,與800ppm左右時的長寬比為37.5相比,約相差2倍左右,根據內部量的不同,靜摩擦力的差異很大。

為此利用圖案晶片對余量、壓力和溫度的干燥效應進行了比較,設計實驗條件進行了實驗,如表2所示,并以長寬比的形式給出了實驗結果。

poYBAGJzjSCAKBjiAABn-NmJAzo720.jpg

表2

首先,按流速的IPA去除程度為流速為10;在13mL/min時,長寬比相同,而在7mL/min時,長寬比為35,差異不是非常大,但表明流量過低,在IPA去除方面效果不佳,不同溫度的超臨界二氧化碳干燥性能顯示了40℃略高于60℃的長寬比,并且在不同壓力條件下評價時,可以看到在140 bar時靜摩擦發生減少,這表明與前面調查的實驗結果相似,綜合得出結論表明超臨界二氧化碳干燥時高超臨界二氧化碳和低溫度以及高壓力對內部IPA的去除是有效的。

超臨界干燥法作為中間置換溶劑對IPA的二氧化碳溶解度,觀察到在40℃、129 bar時可溶解到30wt%,表明二氧化碳對IPA的溶解度很高。通過內部染料顏色可以看出,提高流動速度后IPA去除率的提高,用VOC分析法測量IPA余量,可以看到IPA量隨時間急劇下降,當流速時間達到12分鐘時,大部分IPA被去除。對不同溫度和壓力的IPA去除率進行了分析,結果表明溫度越低、壓力越高,IPA去除率越高,去除率與二氧化碳密度成正比。

審核編輯:符乾江

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27320

    瀏覽量

    218292
  • 晶圓
    +關注

    關注

    52

    文章

    4899

    瀏覽量

    127947
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    背面涂敷工藝對的影響

    工藝中常用的材料包括: 芯片粘結劑:作為漿料涂覆到背面,之后再烘干。采用這種方法,成本較低,同時可以控制鍵合層厚度并且提高單位時間產量。 WBC膠水:其成分
    的頭像 發表于 12-19 09:54 ?200次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    高臺階基底貼蠟方法

    高臺階基底貼蠟方法是半導體制造中的一個關鍵步驟,特別是在處理具有高階臺金屬結構的時。以下是一種有效的高臺階基底
    的頭像 發表于 12-18 09:47 ?112次閱讀
    高臺階基底<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>貼蠟<b class='flag-5'>方法</b>

    的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    ,指在其直徑范圍內的最大和最小厚度之間的差異。 測量方法在未緊貼狀態下,測量
    的頭像 發表于 12-17 10:01 ?197次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    提高SiC平整度的方法

    提高SiC(碳化硅)平整度是半導體制造中的一個重要環節,以下是一些提高SiC平整度的方法: 一、測量與分析 平整度檢測:首先,使用
    的頭像 發表于 12-16 09:21 ?184次閱讀
    提高SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平整度的<b class='flag-5'>方法</b>

    單面拋光的裝置及方法

    單面拋光的裝置及方法主要涉及半導體設備技術領域,以下是對其詳細的介紹: 一、單面拋光裝置
    的頭像 發表于 12-12 10:06 ?205次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>單面拋光的裝置及<b class='flag-5'>方法</b>

    大尺寸藍寶石平坦化的方法有哪些

    大尺寸藍寶石平坦化的方法主要包括以下幾種: 一、傳統研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對藍寶石
    的頭像 發表于 12-06 10:36 ?208次閱讀
    大尺寸藍寶石<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>平坦化的<b class='flag-5'>方法</b>有哪些

    改善出刀TTV異常的加工方法有哪些?

    改善出刀TTV(Total Thickness Variation,總厚度變化量)異常的加工方法主要包括以下幾種: 一、設備調整與優化 主軸與承片臺角度調整 通過設備自動控制,進行工藝角度調整
    的頭像 發表于 12-05 16:51 ?237次閱讀
    改善<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>出刀TTV異常的加工<b class='flag-5'>方法</b>有哪些?

    有什么方法可以去除鍵合邊緣缺陷?

    去除鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種: 一、化學氣相淀積與平坦化工藝 方法概述: 提供待鍵合的
    的頭像 發表于 12-04 11:30 ?240次閱讀
    有什么<b class='flag-5'>方法</b>可以去除<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合邊緣缺陷?

    表面污染及其檢測方法

    表面潔凈度會極大的影響后續半導體工藝及產品的合格率。在所有產額損失中,高達50%是源自于表面污染。 能夠導致器件電氣性能或器件制造過程發生不受控制的變化的物體統稱為污染物。污染
    的頭像 發表于 11-21 16:33 ?339次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面污染及其檢測<b class='flag-5'>方法</b>

    利用全息技術在硅內部制造納米結構的新方法

    本文介紹了一種利用全息技術在硅內部制造納米結構的新方法。 研究人員提出了一種在硅內部制造納米結構的新
    的頭像 發表于 11-18 11:45 ?290次閱讀

    詳解不同級封裝的工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了級封裝的基本流程。本篇文章將側重介紹不同級封裝方法所涉及的各項工藝。
    的頭像 發表于 08-21 15:10 ?1536次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級封裝的工藝流程

    碳化硅和硅的區別是什么

    以下是關于碳化硅和硅的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
    的頭像 發表于 08-08 10:13 ?1430次閱讀

    北方華創微電子:清洗設備及定位裝置專利

    該發明涉及一種清洗設備及定位裝置、定位方法。其中,
    的頭像 發表于 05-28 09:58 ?389次閱讀
    北方華創微電子:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗設備及<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>定位裝置專利

    一文看懂級封裝

    共讀好書 在本文中,我們將重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——級封裝(WLP)。本文將探討級封裝的五項基本工藝,包括:光刻(Pho
    的頭像 發表于 03-05 08:42 ?1360次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級封裝

    介紹減薄的原因、尺寸以及4種減薄方法

    在封裝前,通常要減薄,減薄主要有四種主要方法:機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
    的頭像 發表于 01-26 09:59 ?4430次閱讀
    介紹<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>減薄的原因、尺寸以及4種減薄<b class='flag-5'>方法</b>
    主站蜘蛛池模板: 三级电影免费看| 精品国产精品人妻久久无码五月天| 69精品人人人人| 一二三四在线观看高清电视剧| 亚洲AV久久无码精品九九软件| 深喉吞精日本| 十分钟免费看完整视频| 色婷婷综合久久久中文字幕| 日本久久久久久久做爰片日本| 暖暖视频免费观看社区| 暖暖的高清视频在线观看免费中文| 蜜芽视频在线观看视频免费播放 | 小草视频免费观看在线| 色欲久久99精品久久久久久AV| 日韩精品特黄毛片免费看| 青草久久精品亚洲综合专区| 全黄h全肉细节全文| 日本久久久WWW成人免费毛片丨| 乳女教师欲乱动漫无修版动画| 色偷偷伊人| 亚欧成人毛片一区二区三区四区| 小伙无套内射老女人| 亚洲免费人成在线视频观看| 伊人久久电影院| 最近中文字幕高清中文字幕MV | 色噜噜狠狠色综合中文字幕| 色狠狠一区二区| 迅雷哥在线观看高清| 亚洲欲色欲色XXXXX在线AV| 在线a视频| 9LPORM原创自拍达人| 夫外出被公侵犯日本电影| 国产三区在线成人AV| 久久精品国产亚洲AV蜜臀| 麻豆啊传媒app黄版破解免费 | 狠狠撩色姣姣综合久久| 久久水蜜桃亚洲AV无码精品偷窥 | 国产看黄网站又黄又爽又色| 精品 在线 视频 亚洲| 免费人成视频19674不收费| 日本少妇内射视频播放舔|