針對中小功率的PD快充電源市場，南芯半導體已于2021年推出了高集成度氮化鎵功率芯片 SC3056/SC3057。該系列產品采用獨特的EPAD設計，可兼顧大電流應用場景和最佳電氣性能，引腳功能區塊化，簡化PCB設計的同時可獲得更好的熱體驗。集成了分段式供電，應對超寬輸出電壓范圍，讓外圍電路變得更加精簡。該系列產品推出后得到市場廣泛認可，已有多款量產快充產品。

為進一步拓寬覆蓋的功率范圍，為小功率應用提供性價比更優方案，南芯推出一款新的高頻高集成度小功率QR/DCM控制器SC3055。

新品介紹

SC3055采用eSOP7封裝，底部帶有Thermal Pad增強散熱。芯片內部集成軟起功能，沿用分段式供電技術支持寬電壓范圍輸出，內置過溫保護單元及完備保護功能，過流保護、過載保護、過壓保護等。開關頻率可達135kHz，提高系統的功率密度，滿足日趨小型化的需求，是一款25W以下小功率快充應用極佳的選擇。

參數特性

內部集成軟啟動

集成分段式供電線路

350uA 極低功耗@burst mode

最高開關頻率135kHz

QR/DCM模式下谷底導通

支持Brown In/Out功能

支持多種保護功能

VDD 過壓保護

VDD 欠壓鎖定

逐周期限流保護

兩段式過流保護

輸出過壓保護

輸出短路保護

過載保護

南芯搭載SC3055設計了一款20W的demo，用于客戶的評估測試。

原邊芯片采用SC3055，副邊同步整流采用SC3512，同樣為集成開關管的combo芯片，協議采用SC215TA支持多種快充協議，整體設計外圍非常精簡。

該設計使用雙PCB，雙層板，易于生產， PCBA功率密度達到1.49W/cm3， 尺寸為24.3mm×24mm×23mm。在性能方面也非常優秀，90Vac，9V滿載效率91.32%，12V滿載效率90.87%。