mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain可以對調(diào),它們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。大多數(shù)情況下,這兩個區(qū)域是一樣的,即使兩端對調(diào),也不會影響設(shè)備的性能。這種設(shè)備被認(rèn)為是對稱的。
雙極晶體管放大輸入端電流的微小變化后,在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出輸入電流的比率。另一種晶體管,稱為場效應(yīng)管,將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于其transconductance,定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。市場上常見的是N通道和P通道。詳見右圖(N通道耗盡MOS管)。低壓MOS管是P通道中常見的。
場效應(yīng)管通過在絕緣層上投影一個電場來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上,沒有電流流過絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。常見的FET使用薄層二氧化硅作為GATE極下的絕緣體。該晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。由于MOS管更小,更省電,它們在許多應(yīng)用程序中取代了雙極晶體管。
mos管優(yōu)勢。
1.可用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,耦合電容器容量小,無需使用電解電容器。
2.高輸入阻抗非常適合作為阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作為阻抗變換。
3.可用作可變電阻。
4.可方便地用作恒流源。
5.可用作電子開關(guān)。
6.在電路設(shè)計(jì)中具有很大的靈活性。格柵偏壓可正負(fù)零,三極管只能在正偏下工作,電子管只能在負(fù)偏下工作。此外,輸入阻抗高,可減輕信號源負(fù)載,易于與前級匹配。
審核編輯:湯梓紅
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