高速的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換在設(shè)計中有很多和一般數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換設(shè)計中相似的問題,需要可靠的設(shè)計和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。從基礎(chǔ)上來說,兩者并無二致,但受限于芯片的限制,高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中更能窺見前沿的動態(tài)性能發(fā)展。
在一個高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,放大器、DAC、ADC這些都是必不可少的。一般先考慮運算放大器,接下來是在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換中相當重要的采樣/保持,再是DAC,ADC這些。
不管是兼容于ECL還是兼容于TTL的DAC,它們有很多組成部分是相同的,尤其是核心電流控制部分。目前最典型的單片工藝可以做到的數(shù)模轉(zhuǎn)化器,12位分辨率,還原時間25ns,精度±0.01%,差不多都在這個范圍內(nèi)。這種高速、高分辨率、低功耗的DAC包含了高精度的電流開關(guān)、放大器、NPN等等。NPN中的薄膜電阻利用激光平衡技術(shù)能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)維持12位的線性度。在這種DAC中,一般來說只有極少數(shù)電容因為太大而導致不能集成,需要作為濾波和旁路的片外器件。
高速DAC如何控制電流?
為了控制通過輸出開關(guān)的電流能足夠快,避免飽和十分重要,一旦晶體管飽和,恢復時間會遞增。不同的DAC結(jié)構(gòu)有不同的特點,二進制結(jié)構(gòu)的DAC可以得到很高的精確度,但問題在于在如此寬的電流范圍內(nèi),精確匹配分立的電源流和開關(guān)是很難的。
12位DAC滿刻度LSB電流仍然會太小難以匹配高速的開關(guān)。這種結(jié)構(gòu)唯一的可取之處在于其不會損耗電流,耗散相比其他設(shè)計低得多。
另一種較為接近的方法是12位等值的電流開關(guān),12位等值權(quán)的電流源與伺服控制環(huán)精確匹配。如果所有的晶體管和電阻都能匹配得很好,這是一種很理想的技術(shù),在失效性能上是控制得最小的,代價是高功率耗散。
實際設(shè)計中,數(shù)模轉(zhuǎn)換器一般都是混合這兩種設(shè)計。相同電流密度的MSB電流與LSB電流持續(xù)匹配。為了盡可能控制失效性能,DAC傳播延遲在負值的同時也有正的邏輯變化;為了解決低位高電流供應,會犧牲提供的差動驅(qū)動器。如果以犧牲差動驅(qū)動器為代價來解決低位高電流供應,那芯片必須附加十二位的差動輸入。
設(shè)計中的誤差源
首先,為了使器件能夠保持高速,一個合適阻值的齊納擊穿是很有必要的。當ECL處在低電平時,本該截止的基極即使微導通,傳導的總量對于一個12位的DAC來說還是能夠承受的。
上面說到,薄膜電阻利用激光平衡技術(shù)能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)維持線性度。晶體管和薄膜電阻的匹配就是其中的誤差源。合理的晶體管匹配加之伺服環(huán)路的補償作用,能將溫度偏移性能控制得很好。配合合適的電阻選擇,可以獲得極其優(yōu)秀的阻抗匹配。這種水平的設(shè)計做到一個高增益的,有±1/2LSB線性度的DAC不是難事。
剩下的兩個誤差源來自輸出阻抗以及重疊誤差。輸出阻抗比較好確定,比較公式化,通過合適的設(shè)計即可消除。重疊誤差的產(chǎn)生就有很多原因了。首先就是補償產(chǎn)生的重疊誤差,在R-2R梯度的反向線中電阻產(chǎn)生。這種效應可以通過盡可能減小梯度返回的阻抗來優(yōu)化。
ECL DAC更佳的性能
通常在設(shè)計中都會利用ECL DAC,比較于TTL DAC,ECL的邏輯延遲更小、噪聲更低,還有一點則是ECL數(shù)據(jù)寄存器有著更低的數(shù)據(jù)不對稱性。數(shù)據(jù)不對稱性產(chǎn)生于所有數(shù)字輸入在相同的時間內(nèi)不改變的時候,這種不對稱性可以理解為DAC輸出端口的失效率。
這個數(shù)值,一般通過測量LSB的單位失效區(qū)域來給出。失效時間的測量中,峰值失效振幅是器件帶寬的函數(shù),當帶寬減少時,峰值幅度將會減小,失效將持續(xù)更長的時間。如果想進一步減小失效,可以進一步在DAC后面帶有的跟蹤和保持電路上做優(yōu)化。
小結(jié)
高精度高速的數(shù)模轉(zhuǎn)換器對于設(shè)計、版圖、工藝、制造的要求都很高,必須嚴格把控設(shè)計中所有的單元都有著足夠的精度。
不管是兼容于ECL還是兼容于TTL的DAC,它們有很多組成部分是相同的,尤其是核心電流控制部分。CMOS技術(shù)也已經(jīng)在數(shù)模轉(zhuǎn)換器中展現(xiàn)出了相當高的性能,雖然基于CMOS的DAC分辨率上做到雙極技術(shù)和差不多,但是速度這一指標上還是落下了雙極技術(shù)不少。GaAs技術(shù)近年來也開始被用于設(shè)計超高速DAC,其拓撲結(jié)構(gòu)在某種程度上和雙極設(shè)計十分相似。
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