與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。并且SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。

羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的應用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。

此次，作為社會貢獻事業(yè)的一部分，羅姆向日本京都府捐贈了基于優(yōu)勢領(lǐng)域“功率半導體技術(shù)”相關(guān)的研究設備。SiC功率元器件，不僅在電動汽車領(lǐng)域，在能源管理和工業(yè)設備領(lǐng)域也已作為推動“節(jié)能和小型化”的“王牌”被寄予厚望。同時將觸角延伸到醫(yī)療領(lǐng)域的一大步即將從這里邁出。

工程師們一定迫不及待的想要獲取關(guān)于羅姆SiC功率元器件的更多信息了，在本次羅姆為大家準備的白皮書中，展示了在實現(xiàn)電源產(chǎn)品的更小型、更低功耗、更高效方面，碳化硅(SiC)所表現(xiàn)出潛力巨大的基本物理特性以及用作二極管、晶體管的使用方法和應用例。

原文標題：視頻 | 功率半導體對新一代癌癥治療方法研究的貢獻

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