今年五月份,IBM成功推出了2nm的測試芯片,可容納500億顆晶體管,IBM成功將500億個晶圓體容納在了指甲大小的芯片上,這標志著 IBM 在半導體設計和工藝方面實現了重大突破,對產業鏈企業都將有不小的幫助。
據了解,2nm芯片研制工藝在未來的制造工程中極有可能會發揮關鍵性的作用,這項技術預計可使芯片的性能提升 45%,能耗降低 75%,極大的滿足了半導體行業不斷增長的需求。
IBM已經率先完成了2納米技術的突破,2nm的實現可能性很大。2nm芯片還可以通過為處理器注入內核級創新來提升人工智能、云計算等前沿工作負載的功能,2nm技術上突破應該也還有很長的一段路要走。
值得關注的是,基于 2nm 的芯片即將在2025 年實現量產。
本文綜合整理自半導體行業觀察 數碼密探 網易
審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
50967瀏覽量
424884 -
IBM
+關注
關注
3文章
1759瀏覽量
74744 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9708瀏覽量
138509 -
2nm
+關注
關注
1文章
206瀏覽量
4525
發布評論請先 登錄
相關推薦
臺積電分享 2nm 工藝深入細節:功耗降低 35% 或性能提升15%!
下),同時其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優勢主要得益于臺積電的全柵極(Gate-All-Around, GAA)納米片晶體管、N2 NanoFlex設計技術協同優
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生產流程之中。 IBM 宣稱,當制程推進到 2nm 階段時,晶體管的結構會從長久以來所采用的 FinFET(鰭式場效應晶體管)轉換為 GAAFET(全
聯發科攜手臺積電、新思科技邁向2nm芯片時代
近日,聯發科在AI相關領域的持續發力引起了業界的廣泛關注。據悉,聯發科正采用新思科技以AI驅動的電子設計自動化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進芯片設計,這一舉措標志著聯發科正朝著2nm芯
世芯電子成功流片2nm測試芯片
近日,高性能ASIC設計服務領域的領先企業世芯電子(Alchip)宣布了一項重大技術突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就,使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片(或全能門GAA)晶體管架構的IC創新者之一。
Rapidus計劃2027年量產2nm芯片
Rapidus,一家致力于半導體制造的先鋒企業,正緊鑼密鼓地推進其2027年量產2nm芯片的計劃。然而,這一雄心勃勃的目標背后,是高達5萬億日元(約合336億美元)的資金需求。
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
芯片晶體管的深度和寬度有關系嗎
一、引言 有關系。隨著集成電路技術的飛速發展,芯片晶體管作為電子設備的核心元件,其性能的優化和制造技術的提升成為了行業關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數中,深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
基于量子干涉技術的單分子晶體管問世
隨著晶體管變得越來越小,以便在更小的占地面積內容納更多的計算能力。一個由英國、加拿大和意大利研究人員組成的團隊開發了一種利用量子效應的單分子晶體管,利用量子干涉來控制電子流。
什么是達林頓晶體管?達林頓晶體管的基本電路
達林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達林頓對(Darlington Pair),是由兩個或更多個雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復合結構。通過這種結構,第一個雙極性晶體管放大的電流
晶體管Ⅴbe擴散現象是什么?
是,最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯,因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理,在此基礎上為什么要加電阻?
2、場效應管
發表于 01-26 23:07
評論