早在2021年5月份美國的IBM公司就成功研制出2nm芯片的制造技術,2nm芯片的產生也預示著半導體行業朝著一個更高的水平發展。
據了解2nm芯片的工藝制程采用環繞柵極晶體管 (GAAFET)技術,這也是IBM首次使用底介電隔離通道,將2nm工藝與5nm相對比下,2nm的體積會更小,內含有500億個晶體管,在處理速度上得到高速提升。
2nm工藝在綜合方面也優于7nm,在性能方面提升了45%,但在耗能方面則下降了75%。
至于三星也會嘗試將GAAFET技術先布局在未來3nm工藝上,這也意味著從現在到2025年這三年時間三星將獨享此種技術工藝,這也成為了三星搶占芯片市場的重要機會。
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審核編輯:郭婷
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發表于 04-09 11:23
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