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IBM在2nm制程芯片上采用了GAA環(huán)繞式柵極技術(shù)

獨愛72H ? 來源:OFweek、Ai芯天下 ? 作者:OFweek、Ai芯天下 ? 2022-06-27 10:09 ? 次閱讀
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IBM已正式發(fā)布了2nm制程工藝的芯片,這次IBM在2nm制程的芯片上用了一種叫GAA(Gate All Around)環(huán)繞式柵極的技術(shù)。

相比之下,該芯片對GAA工藝的應(yīng)用實踐,反而更具意義。

IBM這一創(chuàng)新或意味著先進制程芯片的架構(gòu)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA工藝的趨勢。這項技術(shù)最早是由三星先采用的,分為納米線和納米片結(jié)構(gòu),好處是能解決原先5nm工藝中遇到的漏電情況。

簡單來說,這項技術(shù)讓晶體管之間的密度更高,空間優(yōu)化處理的更好,從而帶來更強的算力。與GAA相對應(yīng)的是FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),F(xiàn)inFET是芯片從22nm逐步進軍7nm、5nm的關(guān)鍵工藝。

本質(zhì)上,IBM的2nm并沒有突破物理極限,而是采用了新的GAA架構(gòu),雖然可以通過增大晶體管節(jié)點的密度,來提升芯片的性能,但是這種解決方案也不是萬能的,缺點也很明顯。

如果找不到新的突破口的話,最壞的結(jié)果就是整個芯片行業(yè)可能會停滯不前。如果按照這個思路繼續(xù)往下推導(dǎo)的話,IBM的2nm可能沒有想象中的那么好,往往理論并不能代表實際表現(xiàn)。

本文整合自:OFweek、Ai芯天下

責任編輯:符乾江

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