臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)？目前，臺(tái)積電已正式公布了2nm先進(jìn)制程，2nm芯片首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2025年開始量產(chǎn)。
了解到，臺(tái)積電2nm芯片將全面提高性能和功率優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電2nm芯片使用納米片電晶體管與背面配電線路，相比3nm制程工藝，2nm性能速度增快10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度提高了1.1倍左右。
值得一提的是，臺(tái)積電還將在2024年引進(jìn)ASML下一代High-NA EUV最強(qiáng)光刻機(jī)，便于以后用來制造芯片，臺(tái)積電先進(jìn)工藝將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)，未來臺(tái)積電2nm芯片將應(yīng)用與各種移動(dòng)SoC、高性能CPU和GPU。
綜合整理自新智元、鈦媒體App
審核編輯：湯梓紅
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發(fā)表于 03-14 00:14
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