摘要
近兩年的壓電應用越來越廣(消費電子和健康醫(yī)療應用),被動器件壓電片得以優(yōu)化和提升,所以壓電驅動IC的需求也越來越多。這篇文章主要基于DRV2667EVM(集成RAM,支持I2C、PWM/analog 輸入)來指導如何快速方便協(xié)助客戶開展相關評估和驗證。
1. DRV2667EVM 測試臺搭建
Figure 1. DRV2667EVM 連接圖
Figure 2. USB2ANY
將 DRV2667 連接到計算機需要 USB2ANY。即將 USB2ANY 的SDA、SCL 和 GND連接到DVR2667EVM上對應的3個引腳上。USB2ANY 連接到 DRV2667EVM 和PC計算機,用戶必須按HCC 界面 “Connect”開始,再通過 GUI 控制他們的設備。
對于GUI HCC(Haptic Control Console)軟件調(diào)試, USB2ANY默認的code是不能連接HCC的,如果之前沒有更新Firmware,需要根據(jù)如下鏈接的6.1節(jié)指導來更新Firmware:https://www.ti.com/lit/ug/slou502a/slou502a.pdf
1.2 EVM配置
1.2.2 BOOST電壓配置
對應容性負載應用(如Piezo),如果需要比較高的BOOST輸出電壓,可以把EVM的對應BOOST電壓配置上去,避免出現(xiàn)削波和嘯叫問題。如下是對應增益和模擬電壓輸出關系:
8 dB, 50 Vpp
8 dB, 100 Vpp
4 dB, 150 Vpp
7 dB, 200 Vpp
以200Vpp輸出為例,具體EVM操作如下:
1)長按(+) 按鍵,直到所有LEDs 閃爍
2)重復第一步
3)不斷按壓 (+) ,直到M0, M1, M2三個LEDs燈常亮,注意此處不是長按
4) 按壓 B4 (這里需要注意的是,B4將電壓提高以后會導致板子靜態(tài)電容noise變大,可以通過寄存器配置,讓器件在靜態(tài)下進入standby模式即可降低噪聲)
此時,EVM的處于最大BOOST輸出電壓為105V 和40 dB 增益狀態(tài),可以再通過調(diào)節(jié)增益來控制輸出的Vpp 大小.
Figure 3. 淺藍色為BOOST電壓(105V),紅色為Vpp, (約8nF電容負載)
1.3 HCC配置
DRV2667共有3個工作模式可供選擇:內(nèi)部觸發(fā)(Internal Trigger)、外部模擬(External Analog Input)和 FIFO Playback。在外部模擬模式下,波形必須輸入到設備,EVM可以通過3.5mm音頻線從外部設配提供信號輸入(如Figure 1.)。
Figure 4. DRV2667的Front-End Interface
在 FIFO playback模式下,用戶可以通過調(diào)整設置來控制設備,相對簡單。 為了操作內(nèi)部觸發(fā) RAM 模式,用戶必須使用 RAM 管理器上傳波形,這里介紹一下internal trigger的操作方式:
1)如下Figure 5,在Console界面選擇“Internal Trigger” ;然后再在工具欄Tools 里選擇“RAM Manager”=>“Advanced” =>“WaveSynthesizer”
Figure 5. DRV2667EVM 連接圖
2)Waveform波形編輯和RAM 存儲
如Figure 6的“1”~“7”,我們可以編輯對應所需要的波形和振動時間(頻率、幅值、單次振動時長、重復振動次數(shù))。
Figure 6. RAM波形制作
審核編輯:湯梓紅
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