臺積電在北美技術論壇上宣布推出了先進工藝制程2nm，采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，預計在2025年的時候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)計劃。
據(jù)臺媒體報道，臺積電為了擴大2nm芯片的產(chǎn)能，將在中清乙工建設半導體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)，預計投入1萬億新臺幣，約等于2290億元人民幣。
臺積電在2nm制程上帶來了如高遷移率組件和全新的2D材料、Nanosheet / Nanowire的晶體管架構等新技術，而采用的2d材料更將用到除了石墨烯之外的新材料。臺積電的2nm制程相比較3nm制程來看，在性能方面能夠提升10—15%，功耗則會降低23—30%。
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