臺積電在北美技術論壇上公布未來先進制程路線圖，推出首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術的下一代先進工藝制程2nm芯片，預計將于2025年量產，而臺積電3nm芯片將于2022年內量產。

臺積電3nm技術節點與5nm芯片相比，功耗降低34%，性能提升18%，邏輯晶體管密度提高1.6倍。2nm技術節點與3nm芯片相比，性能速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用納米片晶體管架構。

臺積電除了在2025年量產2nm芯片外，還將在2024引入ASML最新一代LHigh-NA EUV光刻機，2025年就會開始用來制造2nm工藝芯片。

綜合整理自鈦媒體App、Tech情報局

審核編輯：湯梓紅