IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

就制造工藝而言，IGBT與普通半導體產品相同。產業鏈包括規劃、生產、包裝和測試。國內企業正在經營企業IGBT技術基礎薄弱，產業化起步較晚，規劃、測試、包裝等中心技術積累不足。IGBT它通常用于高壓和高功率。內部結構一旦出現問題，能否及時發現內部結構缺陷？畢竟IGBT應用的領域如此重要，不能馬虎對待。市面上有針對igbt的檢測設備嗎？

當然有那就是X-RAY檢測設備，X-RAY可以對IGBT射線可以穿透無損檢測和成像IGBT通過光衰減觀察圖像的局部差異，有效檢測模塊散熱器。X-RAY檢測設備通過X射線透射原理，能快速準確的檢測出IGBT模塊的缺陷。

X-RAY檢測的最大優點是檢測結果直觀。圖像顯示IGBT軟件內部結構缺陷的自動識別和判斷。IGBT在生產過程中，不僅保證了產品的質量，而且在生產規劃階段為改進提供了可靠的依據。

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審核編輯：湯梓紅