根據外媒的消息報道稱,三星電子公司近日正式宣布已開始量產3納米芯片,三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3 納米工藝,并且計劃于2025年量產基于GAA的2nm芯片,以追趕臺積電。
據了解,GAA 是下一代工藝技術,GAA 結構可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流,相對于其5納米芯片,初代3納米芯片可減少45%的能耗,提升23%的性能并減少16%的面積,第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術,大幅提升了效能。
目前,三星電子公司已經成為全球首家量產3納米芯片的半導體晶圓代工廠,3納米全環繞柵極制程工藝節點已經開始量產首批芯片,這也意味著從現在到2025年這三年時間三星將獨享此種技術工藝,力爭在先進芯片制造領域趕超臺積電。
本文綜合整理自中關村在線 IT之家 比特網
審核編輯:彭靜
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發表于 03-08 11:01
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