眾所周知,芯片中晶體管的體積和數量決定了芯片的性能,如今芯片發展的越來越強大,其內部晶體管數量也在不斷增多,如今已經芯片技術已經推進到了2nm,那么32nm芯片晶體管數量是多少呢?
我們把時間退回到2007年,當時Intel公司在舊金山舉辦了一場演講,在那場演講中,Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片,他表示該芯片中集成了超過19億個晶體管,Intel將會在2009年正式量產32nm制程工藝的芯片。
2010年Intel推出了Corei7≤980X,這款芯片采用了32nm制程工藝,內部大約有11億7000萬個晶體管。
而在現在,最新的制程工藝已經達到了2nm,IBM公司2nm芯片中的晶體管數量已經達到了500億個,是2010年32nm芯片的幾百倍,這樣巨大的差距恰好反映了目前芯片發展的速度之快。雖然2nm芯片技術還在研發階段,不過臺積電和三星兩家芯片巨頭已經計劃好在2025年正式量產2nm芯片了,到那時我們日常使用的手機電腦等恐怕又會迎來翻天覆地的變化。
綜合整理自 TechWeb ChinaByte 深銘易購商城
審核編輯 黃昊宇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程,并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造
發表于 11-24 09:13
?1375次閱讀
CMOS晶體管尺寸規則是一個復雜且關鍵的設計領域,它涉及到多個方面的考量,包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結構、尺寸對性能的影響、設計規則
發表于 09-13 14:10
?2188次閱讀
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發表于 09-13 14:10
?4059次閱讀
晶體管是一種固體半導體器件,它通過控制電流的流動來實現電子信號的放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。根據其結構和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類型。
發表于 08-15 11:49
?1379次閱讀
晶體管的主要材料是半導體材料,這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間,具有獨特的電子結構和性質,使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺(Ge)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)
發表于 08-15 11:32
?1649次閱讀
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以
發表于 08-15 11:27
?979次閱讀
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種
發表于 08-15 11:16
?909次閱讀
一、引言 有關系。隨著集成電路技術的飛速發展,芯片晶體管作為電子設備的核心元件,其性能的優化和制造技術的提升成為了行業關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數中,深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
發表于 07-18 17:23
?737次閱讀
晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子電路中。晶體管的工作原理基于半導體材料的導電特性,通過控制基極電流來調節集電極電流,從而實現放大、開關等功能。晶體管的電流關系是其核心特性之一,對于理解
發表于 07-09 18:22
?1775次閱讀
蘋果M3芯片的晶體管數量相當可觀,相比前代產品有了顯著的提升。這款芯片搭載了高達250億個
發表于 03-11 16:45
?937次閱讀
蘋果M3芯片在晶體管數量上有了顯著的提升。具體來說,標準版的M3芯片內部集成了250億個晶體管,相比
發表于 03-08 17:00
?1050次閱讀
蘋果M3芯片搭載了250億個晶體管,相較于前代M2芯片多了50億個晶體管。這一顯著的提升使得M3芯片在性能上有了更大的飛躍,無論是處理速度、
發表于 03-08 16:58
?1185次閱讀
M3芯片的晶體管數量根據不同的版本有所差異。具體來說,標準版的M3芯片擁有250億個晶體管,這一數量
發表于 03-08 15:43
?1107次閱讀
在其內部移動的時間越短,從而提高開關速度。因此,隨著技術的進步,晶體管的尺寸不斷縮小。例如,從70納米(nm)縮小到現在的7納米。 2. 新材料:研究人員一直在研究新材料,以替代傳統的硅材料,從而提高
發表于 01-12 11:18
?1336次閱讀
DOH新工藝技術助力提升功率器件性能及使用壽命
發表于 01-11 10:00
?642次閱讀
評論