IBM宣布已開發出全球首個2nm工藝的半導體芯片,采用三層GAA環繞柵極晶體管技術,首次使用底介電隔離通道,其潛在性能和電池續航能力都將得到巨大的提升。
據了解,IBM 2nm芯片的晶體管密度為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,能容納500億顆晶體管,最小元件比NDA單鏈還要小。該芯片將比當前最先進的7nm芯片將實現45%性能提升,功耗或可降低75%。
目前,IBM 2nm芯片只是制造出來了而已,距離真正實現量產2nm工藝的芯片仍可能需要數年時間。
綜合整理自快科技、Lscssh科技官
審核編輯:湯梓紅
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