臺積電首度推出采用GAAFET技術的2nm制程工藝，將于2025年量產，其采用FinFlex技術的3nm制程工藝將于2022年內量產。
據了解，與5nm芯片相比，臺積電3nm芯片功耗降低34%，性能提升18%，邏輯晶體管密度提高1.6倍，采用FinFlex技術，有望在今年下半年實現量產。與3nm芯片相比，臺積電2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用GAAFET技術，預計在2025年實現量產。
臺積電將在未來幾年推出四種3nm衍生制程工藝，計劃于2025年將成熟和專業制造節點的產能提升50%，將在多地建設大量新晶圓廠。
綜合整理自半導體行業觀察、鈦媒體APP
審核編輯：湯梓紅
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