IBM的2nm工藝的納米片為3層堆棧，高度75nm，寬度40nm，柵極長12nm，納米片高度5nm。2nm工藝在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。與7nm芯片還有哪些方面的不同。
1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機，意味著2nm工藝對EUV光刻機擁有更高的依賴性。
2、2nm芯片相比7nm芯片，性能提升45%，能耗減少75%。手機續(xù)航時間增強至以前的四倍。
3、2nm芯片還可使手機電池壽命增加三倍，大大減少碳排放量。
4、2nm可促進(jìn)智能化產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更加快速的發(fā)展，除用于手機上還可用在邊緣計算和通信領(lǐng)域。
綜合數(shù)碼密探整合
審核編輯：郭婷
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發(fā)表于 03-14 00:14
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