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橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

羅姆半導體集團 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 作者:羅姆半導體集團 ? 2022-07-06 12:30 ? 次閱讀

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗

本文的關(guān)鍵要點

1具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。

2要想正確實施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對策,需要逐一了解電壓的行為。

具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比,在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中,我們介紹了LS(低邊)SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-

源極間電壓的行為:關(guān)斷時

關(guān)于橋式結(jié)構(gòu)中具有驅(qū)動器源極引腳的低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為,將與上一篇文章一樣,重點介紹與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品之間的區(qū)別。

下圖為關(guān)斷時的各開關(guān)波形,左側(cè)為不帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品,右側(cè)為帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品。各橫軸表示時間,時間范圍Tk(k=3~7)的定義在波形圖下方有述。右下方的電路圖中給出了TO-247-4L封裝產(chǎn)品在橋式電路中的柵極引腳電流情況。在波形圖和電路圖中,用(IV)~(VII)來表示每個時間范圍中發(fā)生的事件。事件(VII)在T5期間結(jié)束后立即發(fā)生。

在橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET

關(guān)斷時的各開關(guān)波形

17c00460-fce2-11ec-ba43-dac502259ad0.png

TO-247N封裝產(chǎn)品

沒有驅(qū)動器源極引腳

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TO-247-4L封裝產(chǎn)品

有驅(qū)動器源極引腳

時間范圍的定義

T3:LS導通期間

T4:LS關(guān)斷、MOSFET電壓變化期間【事件(IV)同時發(fā)生】

T5:LS關(guān)斷、MOSFET電流變化期間【事件(VI)同時發(fā)生】

T4~T6:HS導通之前的死區(qū)時間

T7:HS為導通期間(同步整流期間)

17f48fd2-fce2-11ec-ba43-dac502259ad0.png

TO-247-4L:

LS關(guān)斷時的

柵極引腳電流

在波形圖比較中,TO-247-4L的事件(VI)和(VII)與TO-247N的事件不同。

事件(VI)是ID發(fā)生變化的時間點,這一點與導通時的情況一致。當HS的ID_HS急劇增加時,體二極管的VF_HS急劇上升(前面波形圖中的虛線圓圈)。因此,會再次流過dVF_HS/dt導致的電流ICGD,并產(chǎn)生負浪涌。

右圖為關(guān)斷時開關(guān)側(cè)(LS)和換流側(cè)(HS)的VDS波形。通過波形可以看出,與導通時的情況一樣,HS的VDS_HS是在本來的dVDS_HS/dt(T4期間)結(jié)束后的ID變化時(T5期間)向負端變化,并產(chǎn)生了dVF_HS/dt。

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TO-247-4和

TO-247-4L關(guān)斷時的

VDS波形比較

事件(VII)是在T5期間結(jié)束、ID_HS的變化消失時,dVF_HS/dt消失,要流入柵極引腳的ICGD不再流動,ICGD的電流路徑中存在的布線電感中積蓄的能量引起的電動勢,作為柵極和源極之間的正浪涌被觀測到。而在TO-247N封裝的產(chǎn)品中,這種正浪涌幾乎觀測不到。

關(guān)于TO-247N封裝產(chǎn)品關(guān)斷動作的詳細介紹,請參考Tech Web基礎知識SiC功率元器件系列中的文章“低邊開關(guān)關(guān)斷時的Gate-Source間電壓的動作”或應用指南的“關(guān)斷時柵極信號的動作”。

右圖是TO-247-4L封裝產(chǎn)品關(guān)斷時的VGS波形。該波形圖對是否采取了浪涌對策的結(jié)果進行了比較。從圖中可以看出,與導通時一樣,在沒有采取浪涌對策(Non-Protected)的情況下,發(fā)生了前述的浪涌。而實施了浪涌對策(Protected)后,很好地抑制了VGS浪涌。

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TO-247-4L關(guān)斷時的VGS波形

(有無對策)

為了抑制這些浪涌,必須了解上一篇文章和本文中介紹過的柵-源電壓的行為,并緊挨SiC MOSFET連接浪涌抑制電路作為對策。

如果希望了解更詳細的信息,請參考應用指南中的“柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”或R課堂基礎知識SiC功率元器件“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”(連載中)。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:R課堂 | 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:關(guān)斷時

文章出處:【微信號:羅姆半導體集團,微信公眾號:羅姆半導體集團】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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