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duv和euv光刻機區別

西西 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2022-07-06 15:56 ? 次閱讀
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目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是極深紫外線(Extreme Ultraviolet Lithography)。前者采用極紫外光刻技術,后者采用深紫外光刻技術。EUV已被確定為先進工藝芯片光刻機的發展方向。

DUV已經能滿足絕大多數需求:覆蓋7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的區別在光源方案。duv的光源為準分子激光,光源的波長能達到193納米。然而,euv激光激發等離子來發射EUV光子,光源的波長則為13.5納米。

從制程范圍方面來談duv基本上只能做到25nm,Intel憑借雙工作臺的模式做到了10nm,卻無法達到10nm以下。euv能滿足10nm以下的晶圓權制造,并且還可以向5nm、3nm繼續延伸。

duv和euv光刻機區別還有光路系統不同。

duv:主要利用光的折射原理。其中,浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間,填入去離子水,使得193nm的光波等效至134nm。

euv:利用的光的反射原理,內部必須為真空操作。

文章綜合php中文網、科創板日報、浩晨生活館

編輯:黃飛

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