3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
臺(tái)積電和三星的3nm使用的技術(shù)不一樣，三星是基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片，打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓提高能耗比，增加芯片的性能。而臺(tái)積電的N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，推出的時(shí)候?qū)⒊蔀闃I(yè)界最先進(jìn)的PPA和晶體管技術(shù)。
3nm工藝制程這么厲害是不是已經(jīng)到達(dá)了芯片的工藝極限了呢？答案是否定的，在2022年的5月，ibm宣布研制出了全球首顆2nm芯片，這顆芯片比DNA的單鏈還要小，能夠容納500億個(gè)晶體管。
審核編輯：chenchen
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