3nm工藝是繼5nm技術之后的下一個工藝節點,臺積電、三星都已經宣布了3nm的研發和量產計劃,預計可在2022年實現。
臺積電和三星的3nm使用的技術不一樣,三星是基于3nm全環繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 GAA)制程工藝節點的芯片,打破了FinFET技術的性能限制,通過降低工作電壓提高能耗比,增加芯片的性能。而臺積電的N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構,推出的時候將成為業界最先進的PPA和晶體管技術。
3nm工藝制程這么厲害是不是已經到達了芯片的工藝極限了呢?答案是否定的,在2022年的5月,ibm宣布研制出了全球首顆2nm芯片,這顆芯片比DNA的單鏈還要小,能夠容納500億個晶體管。
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