近年來(lái)，晶片上超導(dǎo)材料，其他新型材料和傳統(tǒng)半導(dǎo)體在低溫下的使用迅速增長(zhǎng)。我們憑借無(wú)與倫比的強(qiáng)大功能組合，在高通量低溫晶圓測(cè)試中處于領(lǐng)先地位

近年來(lái)，在低溫（低于123K或-150°C）下，晶圓上超導(dǎo)材料，其他新型材料和傳統(tǒng)半導(dǎo)體的使用迅速增長(zhǎng)。具有創(chuàng)造力的新型傳感器利用了非常低的溫度下獨(dú)特的材料特性，可以檢測(cè)各種物理現(xiàn)象，例如紅外輻射，磁場(chǎng)，X射線(xiàn)等。它們?cè)卺t(yī)療，國(guó)防，工業(yè)自動(dòng)化和天文學(xué)等許多行業(yè)中都有應(yīng)用。最近，量子計(jì)算和超導(dǎo)邏輯領(lǐng)域的發(fā)展為計(jì)算的未來(lái)帶來(lái)了巨大的能量和性能提升。毫無(wú)疑問(wèn)，將會(huì)有更多的低溫應(yīng)用和設(shè)備。

高性能熱成像是其中之一，如今已廣泛用于監(jiān)視/安全，夜視，遙感，氣象學(xué)，軍事威脅和目標(biāo)檢測(cè)，體熱分析，天文學(xué)等。這些系統(tǒng)使用基于冷卻的紅外傳感器的FPA（焦平面陣列）。低溫環(huán)境有助于降低熱噪聲，因此這些檢測(cè)器陣列可以提供更高的分辨率和靈敏度。

冷卻的IR傳感器由不同的材料制成，目標(biāo)是從近紅外（NIR）到長(zhǎng)波紅外（LWIR）的各種波長(zhǎng)范圍，包括硅，多種III-V化合物（InGaAs，InSb，InAsSb，InAs / GaSb等）。 ，通常設(shè)計(jì)為量子阱光電探測(cè)器，MCT（碲化汞鎘）以及包括YBCuO，GdBO3，MgB2等在內(nèi)的超導(dǎo)光子探測(cè)器技術(shù)。在晶圓上測(cè)試這些低溫技術(shù)需要低溫探針系統(tǒng)。

該低溫測(cè)試儀將其封閉在真空室中以提供適當(dāng)?shù)拿芊夂团趴窄h(huán)境。恒定的液氮或液氦流量或其他冷卻技術(shù)可達(dá)到77 K或更低的溫度。此外，低溫恒溫器本身包含電阻加熱器，低溫級(jí)溫度傳感器和溫度控制器，可在較寬的溫度范圍內(nèi)為該熱系統(tǒng)提供出色的穩(wěn)定性。信號(hào)饋通，攝像機(jī)光學(xué)器件和探頭定位器控件都需要特別考慮才能進(jìn)入極端真空/寒冷的環(huán)境。安全性，振動(dòng)和樣品安裝也對(duì)真空/低溫條件提出了新的挑戰(zhàn)。甚至探針也必須設(shè)計(jì)用于低溫條件。最后，盡管對(duì)于僅帶有少量信號(hào)的單個(gè)小切丁樣品而言，有許多解決方案可用，但過(guò)程和產(chǎn)品鑒定需要更高級(jí)別的工具。高容量測(cè)試需要一個(gè)用于容納完整晶片樣品的大腔室，多通道低溫探針卡，一個(gè)用于在整個(gè)晶片表面上進(jìn)行分步重復(fù)測(cè)試的軟件控制晶片臺(tái)以及其他功能，以最大化測(cè)試吞吐量。

通過(guò)強(qiáng)大功能的無(wú)與倫比的組合，我們?cè)诟咄康蜏鼐A測(cè)試中處于領(lǐng)先地位：

具有可編程電動(dòng)XYZΘ級(jí)的分步重復(fù)自動(dòng)化。

在每一步執(zhí)行基于攝像機(jī)的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)調(diào)節(jié)。

多個(gè) 8 個(gè)容易定位且非常穩(wěn)定的超低溫探針（用于 DC、RF 和光信號(hào)）—— 和用于更高信號(hào)數(shù)的探針卡。

樣品尺寸從碎片到 200mm 全晶圓（可提供 300mm 選項(xiàng)）。

晶圓調(diào)換不會(huì)損壞探針或探針卡。

可編程，電動(dòng)定位多個(gè)黑體輻射源，顯微鏡和其他設(shè)備

高測(cè)試吞吐量使我們的客戶(hù)能夠從實(shí)驗(yàn)室概念過(guò)渡到設(shè)備表征，從設(shè)計(jì)調(diào)試到大規(guī)模工程/生產(chǎn)測(cè)試。我們的陣容PAC200探針臺(tái)，PMC200探針臺(tái)，和PLC50探針臺(tái)，包括多個(gè)大小和自動(dòng)化級(jí)別，以及靈活/可自定義的配置。

審核編輯 黃昊宇