本電路采用S-82R1A保護IC,用于對1節鋰離子/鋰聚合物可充電電池組的過充電、過放電和過電流的保護。
電路原理
本電路通過把NTC熱敏電阻器連接于S-82R1A的熱敏電阻器連接端子(TH端子),可以進行過熱保護。通過使用電池電壓監視端子(BS端子),還能監視電池電壓,實現了以下性能:
- 過熱檢測溫度+45°C ~ +85°C(1°C進階):精度±3°C
- 過充電檢測電壓 3.500 V ~ 4.800 V(5 mV進階):精度±15 mV
- 過充電解除電壓 3.100 V ~ 4.800 V:精度±50 mV
- 過放電檢測電壓 2.000 V ~ 3.000 V(10 mV進階):精度±50 mV
- 過放電解除電壓 2.000 V ~ 3.400 V:精度±75 mV
- 放電過電流1檢測電壓 3 mV ~ 100 mV(0.5 mV進階):精度±1.5 mV
- 放電過電流2檢測電壓 10 mV ~ 100 mV(0.5 mV進階):精度±3 mV
- 負載短路檢測電壓 20 mV ~ 100 mV(1 mV進階):精度±5 mV
- 充電過電流檢測電壓 -100 mV ~ -3 mV(0.5 mV進階):精度±1.5 mV
- 各種檢測延遲時間僅通過內置電路即可實現(不需要外接電容)
- 放電過電流狀態解除電壓 : 放電過電流解除電壓(VRIOV) = VDD × 0.8(典型值)
- 休眠功能 : 有
- 高耐壓:VM端子、CO端子的絕對最大額定值28 V
工作時消耗電流:4.5μA(典型值)、6.0μA(最大值)(Ta = +25°C)
- 休眠時消耗電流: 50 nA(最大值)(Ta = +25°C)
- 過放電時消耗電流: 0.5μA(最大值)(Ta = +25°C)
電池保護IC的連接示例
1、通常狀態
通常狀態下,S-82R1A通過監視連接在VDD-VSS間的電池電壓,VINI-VSS間電壓,以及NTC熱敏電阻器的溫度,來控制充電和放電。
電池電壓在過放電檢測電壓(VDL)以上、過充電檢測電壓(VCU)以下的范圍、VINI端子電壓在充電過電流檢測電壓(VCIOV)以上、放電過電流1檢測電壓(VDIOV1)以下的范圍、NTC熱敏電阻器的溫度在過熱檢測溫度(TTD)以下時,充電控制用FET和放電控制用FET都為ON。這種狀態稱為通常狀態,可自由的進行充放電。
初次連接電池時,有可能不能放電。這時,如果連接充電器就可變為通常狀態了。
2、過充電狀態
過充電狀態有2種情況:即過充電解除電壓和過充電檢測電壓相異(VCL ≠ VCU)、相同(VCL = VCU)。
(1)VCL ≠ VCU
當通常狀態下的電池電壓在充電過程中超過VCU,且這種狀態保持在過充電檢測延遲時間(tCU)以上的情況下,充電控制用FET為OFF,會停止充電。這種狀態稱為過充電狀態。過充電狀態的解除,分為如下的2種情況。
如果VM端子電壓在低于0.35V(典型值)的情況下,當電池電壓降低到過充電解除電壓(VCL)以下時,即可解除過充電狀態。
如果VM端子電壓在0.35V(典型值)以上的情況下,當電池電壓降低到VCU以下時,即可解除過充電狀態。檢測出過充電之后,連接負載開始放電,由于放電電流通過充電控制用FET的內部寄生二極管流動,因此VM端子電壓比VSS端子電壓增加了內部寄生二極管的Vf電壓。此時,如果VM端子電壓在0.35V(典型值)以上的情況下,當電池電壓在VCU以下時,即可解除過充電狀態。
(2)VCL = VCU
當通常狀態下的電池電壓在充電過程中超過VCU,且這種狀態保持在tCU以上的情況下,充電控制用FET為OFF,會停止充電。這種狀態稱為過充電狀態。
當VM端子電壓在0.35V(典型值)以上,并且電池電壓降低到VCU以下時,即可解除過充電狀態。檢測出過充電之后,連接負載開始放電,由于放電電流通過充電控制用FET的內部寄生二極管流動,因此VM端子電壓比VSS端子電壓增加了內部寄生二極管的Vf電壓。此時,如果VM端子電壓在0.35V(典型值)以上的情況下,當電池電壓在VCU以下時,即可解除過充電狀態。
對于超過VCU而被充電的電池,即使連接了較大值的負載,也不能使電池電壓下降到VCU以下的情況下,在電池電壓降低到VCU以下為止,放電過電流檢測以及負載短路檢測是不能發揮作用的。但是,實際上電池的內部阻抗有數十mΩ,在連接了可使過電流發生的較大值負載的情況下,因為電池電壓會馬上降低,因此放電過電流檢測以及負載短路檢測是可以發揮作用的。
檢測出過充電之后,在連接充電器的情況下,即使電池電壓降低到VCL以下,也不能解除過充電狀態。斷開與充電器的連接,當放電電流流動,VM端子電壓上升到0.35V(典型值)以上時,既可解除過充電狀態。
充電時序圖
3、過放電狀態
當通常狀態下的電池電壓在放電過程中降低到VDL以下,且這種狀態保持在過放電檢測延遲時間(tDL)以上的情況下,放電控制用FET為OFF,會停止放電。這種狀態稱為過放電狀態。
在過放電狀態下,由于VDD-VM端子間可通過RVMD來進行短路,因此VM端子會因RVMD而被上拉。在過放電狀態下如果連接充電器,當VM端子電壓降低到0V(典型值)以下時,電池電壓在VDL以上,解除過放電狀態。VM端子電壓不低于0V(典型值)時,電池電壓在過放電解除電壓(VDU)以上,解除過放電狀態。
在過放電狀態下,沒有連接RVMS。
在過放電狀態下,當VM端子電壓上升到0.7V(典型值)以上時,休眠功能則開始工作,消耗電流將減少到休眠時消耗電流(IPDN)。通過連接充電器,使VM端子電壓降低到0.7V(典型值)以下,來解除休眠功能。
在過放電狀態下,即使VM端子電壓上升到0.7V(典型值)以上,休眠功能也不會工作。
4、放電過電流狀態
放電過電流狀態有4種情況:放電過電流1、放電過電流2、負載短路、負載短路2。
(1)放電過電流1、放電過電流2、負載短路
在通常狀態下的電池,由于放電電流達到指定值以上,會導致VINI端子電壓上升到VDIOV1以上,且此狀態持續保持在放電過電流1檢測延遲時間(tDIOV1)以上的情況下,放電控制用FET為OFF,會停止放電。這種狀態稱為放電過電流狀態。
在放電過電流狀態下,VM-VSS端子間可通過RVMS來進行短路。但是,在連接著負載的期間,VM端子電壓由于連接著負載而變為VDD端子電壓。若斷開與負載的連接,則VM端子恢復回VSS端子電壓。
當VM端子電壓降低到VRIOV以下時,即可解除放電過電流狀態。在放電過電流狀態下,沒有連接RVMD。
(2)負載短路2
在通常狀態下的電池,連接了能導致放電過電流發生的負載,VM端子電壓上升到VSHORT2以上,且此狀態持續保持在負載短路檢測延遲時間(tSHORT)以上的情況下,放電控制用FET為OFF,會停止放電。這種狀態稱為放電過電流狀態。
5、充電過電流狀態
在通常狀態下的電池,由于充電電流在指定值以上,會導致VINI端子電壓降低到VCIOV以下,且此狀態持續保持在充電過電流檢測延遲時間(tCIOV)以上的情況下,充電控制用FET為OFF,會停止充電。這種狀態稱為充電過電流狀態。
斷開與充電器的連接,當放電電流流動,VM端子電壓上升到0.35V(典型值)以上時,既可解除充電過電流狀態。在過放電狀態下,充電過電流檢測不發揮作用。
6、過熱保護狀態
當連接于TH端子的NTC熱敏電阻器的溫度超過過熱檢測溫度(TTD),且此狀態持續維持在過熱檢測延遲時間(tTH)以上的情況下,充電控制用FET和放電控制用FET都為OFF,會停止充放電。這種狀態稱為過熱保護狀態。
當NTC熱敏電阻器的溫度低于過熱解除溫度(TTR)時,解除過熱保護狀態。在過放電狀態下,過熱檢測不工作。
7、電池電壓監視端子(BS端子)
通過BS端子可以監視VSS端子的電位。在通常狀態下,BS端子、VSS端子間通過RBSS連接。在通常狀態以外時,RBSS被切斷。但是,在過放電狀態連接充電器時,當VM端子電壓降低到0V(典型值)以下,RBSS會被連接。
8、允許向0V電池充電
已被連接的電池電壓因自身放電,在為0V時的狀態下開始變為可進行充電的功能。在EB+端子與EB?端子之間連接電壓在向0V電池充電開始充電器電壓(V0CHA)以上的充電器時,充電控制用FET的門極會被固定為VDD端子電壓。
借助于充電器電壓,當充電控制用FET的門極和源極間電壓達到閾值電壓以上時,充電控制用FET將被導通(ON)而開始進行充電。此時,放電控制用FET為OFF,充電電流會流經放電控制用FET的內部寄生二極管而流入。在電池電壓變為VDL以上時恢復回通常狀態。
9、禁止向0V電池充電
連接了內部短路的電池(0V電池)時,禁止充電的功能。電池電壓在0V電池充電禁止電池電壓(V0INH)以下時,充電控制用FET的門極被固定在EB?端子電壓,而禁止進行充電。當電池電壓在V0INH以上時,可以進行充電。
有可能存在被完全放電后,不推薦再一次進行充電的鋰離子可充電電池。這是由于鋰離子可充電電池的特性而決定的,所以當決定允許或禁止向0V電池充電時,請向電池廠商確認詳細情況。
10、延遲電路
各種檢測延遲時間是將約4kHz的時鐘進行計數之后而分頻計算出來的。備注 tDIOV1, tDIOV2, tSHORT的計時是從檢測出VDIOV1時開始的。因此,從檢測出VDIOV1時刻起到超過tDIOV2, tSHORT之后,當檢測出VDIOV2, VSHORT時,從檢測出時刻起分別在tDIOV2, tSHORT之內立即把放電控制用FET切換為OFF。
芯齊齊BOM分析
本電路通過S-82R1A電池保護IC,使用外接NTC熱敏電阻器,實現了高精度過熱保護電路,而且外接元器件精簡。
其中,S-82R1A電池保護IC內置高精度電壓檢測電路和延遲電路,自帶電池電壓監視端子,各種檢測延遲時間僅通過內置電路即可實現 (不需要外接電容)。S-82R1A工作溫度范圍廣-40°C~+85°C, 采用HSNT-8(1616)封裝,無鉛(Sn 100%)、無鹵素。
BOM表中,如果FET的閾值電壓在過放電檢測電壓以上的情況下,有可能導致在過放電檢測之前停止放電的情況發生,應該讓閾值電壓≤過放電檢測電壓。
電阻器中,由于過充電檢測電壓精度由R1 = 100Ω保證,連接其他數值的電阻會降低精度。因此,R1應以實測結果為準,定型時選擇1% 精度精密電阻器。溫度檢測精度因NTC熱敏電阻器的規格不同而有所偏差,R4選擇阻值為470kΩ±1%精度的NTC熱敏電阻器。
審核編輯:湯梓紅
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