NP2012(20 v n溝道增強型MOSFET)
描述
NP2012使用先進的海溝技術 提供優秀的RDS(上)、低門和收費
操作門電壓2.5 v。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調制
應用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID= 12
DS(上)(Typ) = 15 m? @VGS= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 12 m? @VGS= 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
應用程序
? PWM 應用 程序
? Load 開關
封裝
? DFN2*2-6L-B
原理圖
標記和引腳分配
訂購信息
典型的性能特征
審核編輯 黃昊宇
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