未來幾年,2D材料的晶體管將被認為是擴展摩爾定律的關鍵技術之一。
國際半導體技術路線圖(ITRS)已明確將為擴展摩爾定律提供長期解決方案。事實上,2D材料的特性和可預測的電氣特性提供了強大的潛力,可以將我們在過去50年的顯著創新和產品性能做出進一步的提升。
但是,ITRS并不能保證這些材料將發揮這種潛力。毫無疑問,英特爾和臺積電等世界領先的半導體制造商非常熱衷于了解2D材料的制造影響。但是,對于過去10年的所有學術論文來說,即使是研究最多的材料 - 石墨烯 - 也遠未準備好部署在完整的大批量生產(HVM)生產設施中。
HVM 對 2D 材料的挑戰是巨大的。但這一挑戰是確保2D材料發揮潛力的關鍵。
2D 材料工業化的需求
在半導體行業采用新材料是一個巨大的顛覆性過程。然而,在擴展摩爾定律和確保6000億美元市場的持續增長方面,幾乎沒有技術保證。因此,2D材料制造可以發展到在全球半導體市場中發揮關鍵作用的概念絕對不是無聊的猜測。
盡管如此,當今技術的現實情況是,2D材料只在實驗室中少量配備,以支持學術研究。與其急于發表另一篇關于石墨烯驚人潛力的研究論文,不如關注如何開發在工業規模上制造高質量石墨烯或其他材料所需的工具、工藝和設備。
將 2D 材料集成到工業規模的主流制造中涉及一些艱巨的工程設計,包括材料增長、材料轉移和生產線集成。在許多方面,這項工作都很艱難,但如果2D材料要發揮其潛力,這是必不可少的。
大規模制造 2D 材料的挑戰
2D材料未來的關鍵是設計工具和工藝,生產適用于現有行業標準200和300 mm晶圓的無缺陷材料。然而,實現這一目標說起來容易做起來難。
該過程的每一步都需要專門設計和廣泛定制的生產工具。值得記住的是,這些是高度專業化的材料,只有一個原子的厚度,因此需要結構完美且沒有雜質才能執行。
從材料生長開始,化學氣相沉積(CVD)是生產石墨烯和其他2D材料(如六方氮化硼)的最廣泛使用的工藝。
生產石墨烯涉及在真空中將加熱的基板并暴露在含碳氣體中。當氣體沉降在熱基體表面時,碳生長成石墨烯獨特的蜂窩圖案。該過程需要嚴格控制溫度和其他參數,以確保高質量的材料可以生長到所需的晶圓尺寸。
然后,生長過程之后是干轉印過程,該過程將材料與生長基板分離并將其移動到生產晶圓中。這項任務類似于試圖拿起一塊足球場大小的保鮮膜并將其沉積在相鄰的場地上,所有這些都不會破壞或污染材料表面的任何部分。
當然,這些過程也必須在晶圓廠中高度自動化的生產過程中實施,因此對特殊工程設備的需求也得到了提高。
發展歷程
考慮到所涉及的技術挑戰,我們不會有任何“飛躍”,從今天的小規模材料增長跳到完整的HVM生產。然而,以IEEE設備和系統路線圖(IRDS)為指導,我們可以看到一些關鍵技術的“墊腳石”將有助于行業開發和證明促進向2D材料過渡所需的工具和流程。
這些墊腳石中的第一個是商業后端(BEOL)應用。這些是某些生產過程的最后階段,其中傳感或光子開關等特殊功能被添加到半導體晶圓中。它們代表了石墨烯生產商磨練其生產工具的強大機會。
這些器件往往在低產量的鑄造廠生產,并且已經過渡到微機電系統(MEMS)等BEOL技術。
因此,與石墨烯制造商合作,在生產過程中容納平面化2D層具有更大的靈活性。
這些BEOL應用對于證明石墨烯可以在商業生產環境中可靠地生長和部署至關重要。
2D 材料的“超越摩爾”潛力
這些初始應用是開發自動化系統和過程控制的關鍵步驟,以確保高度一致的材料結果。
在ANL,我們致力于進一步推動這種商業加速。應用開發套件將使更多客戶能夠縮短將2D材料集成到許多其他應用中的路徑。與新的生態系統合作伙伴的行業合作將有助于為開發原型設備的公司提供大量的石墨烯。
最終,在未來幾年中,這一至關重要的基礎將使2D材料走出實驗室,并獲得真正的“超越摩爾”商業HVM主張的動力。完全集成的端到端生產工具的開發將確保當半導體制造商準備進入全面生產時,工業增長、轉移和集成主張都將隨之擴展。
審核編輯 :李倩
-
摩爾定律
+關注
關注
4文章
634瀏覽量
79003 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9684瀏覽量
138091 -
石墨烯
+關注
關注
54文章
1549瀏覽量
79561
原文標題:基于2D材料的晶體管,可作為擴展摩爾定律的解決方案
文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論