我國是世界最大的功率半導體消費市場；隨著電動車市場崛起；電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能；新能源汽車需求帶動MOSFET及IGBT持續增長；作為其核心部件的IGBT產品具有廣闊的市場前景。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進行功率變換,能夠提高用電效率和質量,具有高效節能和綠色環保的特點,是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術,被譽為綠色能源的“核芯”。

目前國內的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護器件等仍以4寸線為主流；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流；

電動汽車使用到IGBT的裝置主要有五項(包含逆變器、直流/交流電變流器、車載充電器、電力監控系統以及其他附屬系統)，其中，逆變器、直流/交流電變流器以及車載充電器對電動汽車性能表現影響最為關鍵；IGBT是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。

對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

高功率IGBT是電動車馬達系統的關鍵元件及能量耗損之處，一旦馬達系統效率提升，將能帶動電動車速度、降低散熱系統需求并提高電池續航力；

臺灣茂矽電子降低晶圓導通電阻，通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率，并改善電動車關鍵零組件多得向英飛凌（Infineon）、意法半導體（ST）等國外大廠購買的情形。

目前市面上出現的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對應6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國產芯片在晶圓的產能上，也就是在6寸上有優勢；

全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產能僅擴廠5%,仍不足以滿足后續電動車與工業控制市場,導致IGBT持續漲價。

由工采網代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。

芯片圖：

茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導體元件及電源管理IC領域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產品為主，打破國外壟斷現象。

ISweek工采網與茂矽電子強強聯手，給國內客戶提供更有效的技術支持和專業服務。