NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
1.描述
NP2P10MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的RDS(ON)、低柵電荷和高
超低導(dǎo)通電阻密度電池設(shè)計(jì)。這個(gè)該器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM申請(qǐng)。
2.一般特征
* VDS=-100V，ID=-2A
* RDS(ON)（典型值）=237 MΩ@VGS=-10V
* RDS(ON)（典型值）=268 mΩ@VGS=-4.5V
（一）高切換速度
* 改善dv/dt能力
* 低柵電荷
* 低反向轉(zhuǎn)移電容
* 符合歐盟RoHS 2.0的無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)
3.應(yīng)用程序
PWM應(yīng)用
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
4.包裝
SOT-23-3L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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