據統計，目前國內以SiC、GaN為代表的第三代半導體主要制造商已達147家。

第三代半導體是以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導體材料，適用于高溫、高壓、高功率應用場景，有助于節能減排，也是實現“雙碳”目標的重要方向。近些年，國家相關政策陸續出臺，持續加碼第三代半導體，科技創新如火如荼。第三代半導體蓬勃發展已經擁有堅實的政策及科研支持基礎。

半導體材料是半導體產業鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導體產品生產制造中起到關鍵性作用。Si目前是技術最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料，但近年來Si材料的潛力已經開發殆盡，在高壓、高頻、高溫領域以SiC和GaN為代表的的第三代半導體材料襯底材料市場規模有望迎來快速發展。

從整體產值規模來看，據CASA數據，我國第三代半導體整體產值超7100億元，2023年第三代半導體材料滲透率有望接近5%。從滲透率角度來看，Yole數據顯示，Si仍是半導體材料主流，占比95%。隨著第三代半導體滲透率逐年上升，SiC的滲透率在2023年有望達到3.75%，GaN滲透率在2023年達到1.0%，第三代半導體滲透率總計4.75%。

在節能需求方面，SiC功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源消耗，減少75%以上的設備裝置，有效提升能源轉換率。而GaN具有轉換效率高、功率密度高、散熱能力好等優勢，可以成就高效、節能、更小體積的設備。

第三代半導體的應用，可以有效降低二氧化碳的排放量。據統計，借助第三代半導體新技術，每生產10萬片SiC晶圓可較常規的生產方式減少4,000噸的碳排放。與目前的硅基IGBT相比，第三代半導體新技術的環保效益顯然更勝一籌。

目前第三代半導體材料已逐漸進入各汽車集團的主流供應鏈中，其中SiC襯底作為關鍵材料，市場以海外廠商為主導，國內企業市場份額較小。隨著技術成熟，SiC襯底將成為第三代半導體材料的布局熱點。

從國內全產業鏈來看，第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產業鏈布局也逐漸完善，基本已經實現覆蓋，可完全自主可控。據統計，目前國內第三代半導體主要制造商共147家，其中SiC產業鏈相關公司已達104家，GaN產業鏈相關公司有43家。

高壓、高頻領域或將實現對硅基的全面替代

目前，新能源汽車、光伏、特高壓輸電、儲能等細分領域普遍發展的痛點為開關損耗、導通損耗、熱管理、充電速度等。而SiC功率器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等性能優勢直擊新能源行業的發展痛點，滿足新能源行業的發展需求。伴隨下游應用需求推動，上游供給也將迎來高速發展階段。

特別是在兼容高壓中頻的基礎上，SiC MOSFET憑借其高效率、小體積的特性成為電動汽車、充電樁、光伏逆變等領域的理想解決方案，而GaN MOSFET在1000V以下的快充、電動汽車等中低壓領域有較大的的應用潛力。相比傳統的硅基器件，待成本下降，性能更優的第三代半導體器件在高壓、高頻領域或將實現對硅基的全面替代。

總體來說，無論是SiC還是GaN，當前都還處于應用初期。隨著SiC、GaN技術逐步成熟，產能持續擴張以及成本快速下降，第三代半導體在PD快充、新能源、5G通訊、數據中心等市場將放量增長，并在“雙碳”目標的實現中發揮更大價值。

如今，第三代半導體材料極其重要的戰略性應用價值不言而喻。對于企業而言，未來在布局的過程中，需要抓住主要市場，從而把握市場先機。從當前的技術基礎和應用前景來看，未來全球有望迎來第三代半導體擴產熱潮。為了匹配日益增長的市場需求，第三代半導體企業可通過調整業務領域、擴大產能供給、整合并購等方式，強化在第三代半導體材料領域的布局。

同時為了進一步深度探討SiC和GaN技術的應用和發展，了解目前第三代半導體企業的市場布局和發展情況，2022年9月29日，2022'中國電子熱點解決方案創新峰會將在深圳深鐵皇冠假日酒店5樓宴會廳正式舉辦。屆時，歡迎現場到2022'第三代半導體技術研討會進行聆聽、交流。

值得一提的是，2022'中國電子熱點解決方案創新峰會更具五大硬核亮點，熱點話題和展商參與極具陣容。