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高壓 36V 四通道 DMOS 全橋驅(qū)動(dòng)MS3988參數(shù)

xbwzwx ? 來源:xbwzwx ? 作者:xbwzwx ? 2022-07-26 20:59 ? 次閱讀

MS3988描述

MS3988/MS3988N 是一款四通道 DMOS 全橋驅(qū)動(dòng)器,可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)或者四個(gè)直流電機(jī)。每個(gè)全橋的驅(qū)動(dòng)電流在 36V 電源下可以工作到 1.2A。

MS3988/MS3988N 集成了固定關(guān)斷時(shí)間的 PWM 電流校正器,以及一個(gè) 2bit 的非線性 DACs(數(shù)模轉(zhuǎn)換器),可以工作在全步進(jìn),半步進(jìn),四分之一步進(jìn),正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn)以及待機(jī)模式。PWM 電流校正器使用混合衰減模式,可以減小音頻電機(jī)噪聲,提高步進(jìn)精度以及降低功耗。芯片還內(nèi)置內(nèi)部同步整流控制電路以降低 PWM 工作時(shí)的功耗。

芯片集成的保護(hù)電路有熱關(guān)斷遲滯,低壓關(guān)斷保護(hù)(UVLO)以及翻轉(zhuǎn)電流保護(hù),因此可以不需要特定的電源啟動(dòng)次序。

主要特點(diǎn)

■36V 輸出

■四通道全橋

■雙步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

■大電流輸出

■3.3V和5V邏輯

同步整流

■內(nèi)置UVLO

■過熱保護(hù)

■翻轉(zhuǎn)保護(hù)

應(yīng)用

●安防監(jiān)控

●舞臺燈

●玩具

機(jī)器人技術(shù)

●醫(yī)療設(shè)備

封裝圖

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內(nèi)部框圖

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管腳圖

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管腳說明圖

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功能描述

器件特性

MS3988/MS3988N 可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)或四個(gè)直流電機(jī),也可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)步進(jìn)電機(jī)加兩個(gè)直流電機(jī)。輸出 H 全橋?yàn)樗膫€(gè) N 型 DMOS 驅(qū)動(dòng)管,受控于脈動(dòng)寬度調(diào)制電路(PWM)。每個(gè) H 全橋的輸出峰值電流由 Rsensex 和 Vrefx 共同決定。

如果輸入被拉高到 VDD 電平,推薦接一個(gè)高值的限流上拉電阻,以防止過壓。輸入腳包括PHASEX,I0x,I1x。

內(nèi)部 PWM 電流控制原理

每個(gè) H 全橋帶有固定衰減時(shí)間的 PWM 電流控制電路,使得負(fù)載電流不超過設(shè)定值 ITRIP。初始時(shí),H 橋?qū)堑囊粚υ绰?DMOS 驅(qū)動(dòng)管打開,電流流入電機(jī)和電路檢測 Rsense 電阻。當(dāng) Rsense 上的電壓等于 VREF 端口電壓時(shí),電流檢測比較器重置 PWM 鎖存器,關(guān)斷源端 DMOS 驅(qū)動(dòng)管。

最大電流限制由 Rsense(Rs)電阻大小以及 VREF 端的電壓共同決定,最大電流公式如下:

ITripMax=VREF /(3*Rs)

每個(gè)步進(jìn)電流限制 ITrip 都是最大電流限制 ITripMax 的百分比。步進(jìn)電流 ITrip 的計(jì)算公式:

ITrip =(% ITripMax/100)* ITripMax其中% ITripMax 見步進(jìn)次序表。

另外注意,應(yīng)用中 Rsense 上的最大電壓值不要超過±500mV。

固定關(guān)斷時(shí)間

內(nèi)部的 PWM 控制電路集成一固定時(shí)間脈沖來關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器,關(guān)斷時(shí)間 toff 內(nèi)置為 30us。

無效時(shí)間

在內(nèi)部電路控制使得輸出發(fā)生變化時(shí),此功能可以關(guān)斷輸出電流檢測比較器,以防止輸出誤檢測,比如說過沖電流,嵌位二極管的反向恢復(fù)電流,輸出電容引起的反向傳輸?shù)鹊取o效時(shí)間設(shè)置為 1us。

控制邏輯

器件與控制器通信通過標(biāo)準(zhǔn)的 I1,I0,PHASE 工業(yè)接口,通過控制,可以實(shí)現(xiàn)全,半與四分之一步長模式。每個(gè) H 橋設(shè)置了獨(dú)立的 VREF 腳,所以通過動(dòng)態(tài)地控制 VREF 腳,可以得到更高精度的步長控制。

電荷泵(CP1 與 CP2)

電荷泵電路產(chǎn)生一個(gè)比 VBB 高的電源來驅(qū)動(dòng) H 橋的源端 DMOS 管。應(yīng)用中由于充放電的需要,CP1 與 CP2 間需要接一個(gè) 0.1uF 的陶瓷電容。VCP 與 VBBx 之間也需要接一個(gè) 0.1uF 的陶瓷電容來存儲電荷。

關(guān)斷功能

當(dāng)超過結(jié)溫,VCP 過低等意外出現(xiàn)時(shí),輸出被關(guān)斷。在啟動(dòng)時(shí),低壓關(guān)斷電路(UVLO)可以關(guān)斷輸出。

同步整流

當(dāng)內(nèi)部固定衰減時(shí)間電路觸發(fā),PWM 關(guān)斷起作用時(shí),負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生回流。MS3988/MS3988N同步整流電路在電流衰落的過程中,會(huì)打開相應(yīng)的 DMOS 管,用 Rdson 電阻來短接寄生體二極管,可以有效降低功耗。當(dāng)檢測到零電流時(shí),同步整流被關(guān)斷以防止負(fù)載電流反向。

混合衰減模式

H 橋工作在混合衰減模式;如下圖所示,當(dāng)電流達(dá)到限流值時(shí),進(jìn)入快速衰減模式,持續(xù)時(shí)間為整個(gè)衰減模式的 30.1%(tFD);然后系統(tǒng)進(jìn)入慢速衰減模式。在快衰減與慢衰減轉(zhuǎn)換期間,驅(qū)動(dòng)器會(huì)被關(guān)斷 600ns(死區(qū)時(shí)間),此設(shè)置可以有效防止橋穿通現(xiàn)象。如下圖 2 圖 3 所示,在死區(qū)時(shí)間,同步整流不再起作用,芯片只工作在快速和慢速衰減模式下。

93062452867a4ba39fe11f995bf8b56d~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659443626&x-signature=IEJwht14E32WneBogP7r2sUDKPE%3D

典型應(yīng)用圖

pYYBAGLgm7yAJhyVAAKCigFgxqg453.png

應(yīng)用說明

直流電機(jī)控制

芯片集成四路 H 橋驅(qū)動(dòng),毎路都設(shè)置了獨(dú)立的 PWM 電流控制電路,所以可以驅(qū)動(dòng)四個(gè)1.2A 電流的直流電機(jī)。應(yīng)用中可以通過 VREF 腳設(shè)置最大電流,使用 PWM 信號控制 I0,I1,phase 腳來控制電機(jī)的正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn),待機(jī)。

版圖制作

印刷電路板需要使用厚地板。為了獲得更好的性能與散熱,MS3988/MS3988N 最好能直接焊接在板上。在 MS3988/MS3988N 的背面是金屬散熱片,直接焊在 PCB 外露板上可以將熱量發(fā)散到其他層。

版圖地線

為了減小地電位漂移問題,須在 PCB 板中靠近芯片的位置設(shè)置一個(gè)單點(diǎn)低阻的特殊地線。一般地,MS3988/MS3988N 的散熱片與 PCB 板的接觸地線位置是理想的特殊地線位置。低阻的特殊地線可以有效防止地電平漂移和保證電源電壓的穩(wěn)定性。下圖是一個(gè)示意圖,說明如何在芯片的底部設(shè)置特殊的地線,既當(dāng)做低阻地接觸,同時(shí)接到散熱片。

6dc989b6c23c4447a3730d1eac2f78e3~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659443626&x-signature=6HTZ41aLThAGSS%2FXc0GMvk5YWys%3D

SENSE 腳設(shè)置

Sense 腳電阻 RSx 必須通過一個(gè)低阻的通路到地線,因?yàn)?RSx 會(huì)流過大電流,并且產(chǎn)生一精確的反饋電壓到 sense 比較器。長的地線會(huì)產(chǎn)生額外電阻,形成不確定的電壓降,降低

sense 比較器的精度。

當(dāng)選擇 sense 電阻時(shí),注意保證工作中 sense 腳的電壓不要超過正負(fù) 500mV。


審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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