本文將建議如何創建一個能夠調節大功率燈或電機電流的電路。該器件與微控制器配合使用，保證 PWM 信號驅動電源負載。開關元件以 SiC MOSFET 為代表。

改變大功率燈或電機亮度的最佳技術之一是脈沖寬度調制 (PWM)。在汽車電子系統中，一段時間以來，控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執行器。例如，柴油壓力調節器、電風扇和大燈的亮度均由 PWM 信號管理。使用周期信號驅動負載，電路效率非常高，產生的功率全部傳輸到負載，損耗幾乎為零。通過使用 SiC MOSFET 作為開關元件，總效率更高。

設備

所描述的電路是一個簡單的直流電源調節器，適用于 24 V 的大功率負載。通過明顯適應 PCB 的特性，可以改變電壓。它可用于改變燈的亮度或加快或減慢直流電機的速度。邏輯運算由微控制器執行。電源的調節操作由兩個按鈕管理。占空比的數量由 LED 二極管監控。

PWM 信號

PWM 信號是具有可變“占空比”的方波（圖 1），它允許您控制電氣負載（在本例中為執行器或電動機）吸收的功率，從而調制占空比. PWM 信號具有固定頻率和可變占空比的特點。“占空比”是方波呈現“高”值的時間與周期 T 之間的比率，其中“T”是頻率的倒數：T = 1/f。例如：

50% 的占空比對應于一個方波，它在 50% 的時間內保持高值，在剩余的 50% 中保持低值；

10% 的占空比對應于一個方波，它在 10% 的時間內保持高值，其余 90% 的時間保持低值；

90% 的占空比對應于方波，它在 90% 的時間內保持高值，其余 10% 的時間保持低值；

100% 占空比對應于始終為高的信號；

0% 的占空比對應于始終為低的信號。

為了更清楚起見，如果我們考慮提到的最后兩種情況，占空比等于 0% 表示脈沖持續時間為零——實際上，沒有信號——而接近 100% 的值表示最大信號傳輸，因此，受控設備的充分和恒定的電源。

圖 1：PWM 信號及其對負載的影響

框圖

圖2顯示了系統的框圖。微控制器管理邏輯操作并接收來自操作員的命令。它還生成驅動預驅動器的 PWM（低功耗）信號。后者放大電流信號并將其傳遞給控制負載的驅動器。

圖 2：系統框圖

電氣原理

圖見圖3，我們可以觀察接線圖。該系統由大約 30 V 的電壓供電。通過三個穩壓器（7824、7812 和 7805）將 MCU 邏輯的電壓降至 5 V。與 7805 的獨特用途相比，這種技術可以限制熱量。PIC 12F675 的 GP0 端口驅動一個 LED 二極管，該二極管用作 PWM 信號的監視器。GP1 端口控制由 IRL540 功率 MOSFET 組成的預驅動器，特別適用于帶有微控制器的應用，其中“門”的能量非常低。第一個 MOSFET 的“漏極”端驅動第二個 SIC MOSFET 以切換負載上的電流（電阻或電感）。兩個快速二極管消除了感性負載產生的過電壓。你可以不用它們，因為 SIC MOSFET 得到了很好的保護，但最好考慮使用它們。如果使用電阻負載，它們可以從電路中消除。兩個常開按鈕通過相應的下拉電阻連接到單片機的GP4和GP5端口，保證不按時為低電位。

圖 3：電氣原理圖

電子元件

下面列出了電路的電子元件。它們并不重要，很容易在市場上找到。圖 4顯示了各種組件的引腳排列。

電阻器：

R1：330Ω

R2：10kΩ

R3：10kΩ

R4：100Ω

R5：10kΩ

R6：47kΩ

R7：220Ω 5W

電容器：

C1：100 nF

C2：100 nF

C3：100 nF

C4：100 nF

C5：100 nF

C6：100 nF

C7：1,000 μF 電解

半導體：

D1：紅色 LED 5 mm 圓形

D2：二極管快恢復RFN5TF8S

D3：二極管快恢復RFN5TF8S

Q1：MOSFET 碳化硅 UF3C065080T3S

Q2：MOSFET IRL540（不是 IRF540）

各種各樣的：

U1：PIC12F675_P單片機

U2：LM7812CT穩壓器

U3：7805穩壓器

U4：LM7824CT穩壓器

F1：保險絲 40 A

J1：接線端子

J2：接線端子

S1：按鈕常開

S2：按鈕常開

圖 4：組件的引腳分配

PCB

為了構建原型，需要設計印刷電路，其走線如圖 5所示。即使我們強烈建議使用光刻技術來獲得更可靠和專業的結果，這也很簡單。一旦底座準備好，就需要用0.8毫米或1毫米的鉆頭與焊盤相對應地鉆孔，增加與集成電路相關的焊盤的精度。為了增加軌道的厚度，更好地散熱，你可以在上面熔化錫。

圖 5：PCB

組裝

您可以繼續焊接組件（圖 6），從低剖面的組件開始，例如電阻器、電容器和插座，然后繼續焊接更大的組件，例如接線端子、LED 二極管、 MOSFET、保險絲和電解電容器。應特別注意極化組件。焊接時，請使用功率約為 30 W 的小烙鐵，注意不要使無法承受過熱的電子元件過熱。最后，注意集成電路及其插座的引腳排列。

圖 6：元件排列和電路 3D 視圖

固件

本文隨附的源代碼清單 (.BAS) 是使用 BASIC 語言編寫的，使用 GCB 編譯器 (Great Cow Basic) 和可執行文件 (.HEX)。在保險絲和 I/O 端口的初始配置之后，無限循環檢查兩個按鈕的邏輯狀態。通過按下第一個按鈕，占空比減小。另一方面，通過按下第二個按鈕，占空比增加。占空比的百分比為 10%、30%、50%、70% 和 90%。當然，您可以根據程序規范添加其他值。由于 PIC 內部時鐘的低速 (4 MHz)，無法通過變量參數化等待狀態的時序。相反，已經創建了具有不同百分比的占空比的專用子程序。固件產生的PWM信號，在這種情況下，頻率約為 2 kHz。使用更快的 PIC 將允許等待暫停的參數化和代碼的優化。PWM 的低頻可以在感性負載上產生聲音。然而，在阻性負載上不存在這個問題。

電路仿真

觀察電路在開關點的行為并研究 SiC MOSFET 所做的工作非常有趣。圖 7顯示了占空比為 50% 的 PWM 信號在以下幾點的波形圖：

微控制器 GPIO1 端口上的 PWM 信號

MOSFET IRL540 漏極上的 PWM 信號

SiC MOSFET UF3C065080T3S 漏極上的 PWM 信號

圖 7：PWM 信號在各個點的波形圖

圖 8顯示了微控制器輸出端的 PWM 信號波形圖，占空比的不同百分比（10%、30%、50%、70%、90%）。

圖 8：占空比不同百分比的波形圖

電路效率

就功率傳輸而言，使用 SiC MOSFET 時的效率非常高。不幸的是，預驅動器的存在降低了這種效率，平均而言，這可以被認為是好的。圖 9顯示了電路的總效率曲線圖，具體取決于施加到輸出的負載。為了提高電路的效率，您可以嘗試稍微提高 MOSFET IRL540 的漏極電阻 R7 的值，確保 SiC MOSFET 的閉合沒有問題。

圖 9：電路效率與所施加負載的關系

在元件導通期間，直接從電路的各個工作點測量 SiC MOSFET的 R DS(on)值很有趣。根據歐姆定律，我們有：

圖 10確認了官方數據表中顯示的值。

圖 10：測量 SiC MOSFET 的 RDS(on) 值

UF3C065080T3S SiC MOSFET

United Carbide 的級聯產品將其高性能 G3 SiC JFET 與級聯優化 MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列表現出超低的柵極電荷，但在任何類似額定值的器件中，它也具有最佳的反向恢復特性。當與推薦的 RC 緩沖器和任何需要標準柵極驅動的應用一起使用時，這些器件非常適合切換電感負載。它的特點是：

R DS(on)典型值為 80 mΩ

最高工作溫度 175°C

出色的反向恢復

低柵極電荷

低固有電容

ESD 保護，HBM 2 類

其典型應用有：

電動汽車充電

光伏逆變器

開關模式電源

功率因數校正模塊

電機驅動

感應加熱

由于文章隨附的 SPICE 文件的存在，您可以將 SiC MOSFET 與最重要的電子仿真程序一起使用。

結論

PWM 控制可以讓您獲得更好的功率執行器（例如電機和燈）的定性行為。光的質量更好，雖然亮度的程度可以隨意改變。即使在低轉速下，發動機扭矩也非常高。本文中描述的電路主要具有教學目的，并為進一步研究該領域奠定了基礎。熟悉 PWM 很有用。設計師絕對可以改進它，無論是功率還是效率。但是，建議不要將提供的功率推到最大，以免電路過熱。

審核編輯：劉清