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應(yīng)用在光伏逆變器中的IGBT晶圓

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2022-07-28 09:27 ? 次閱讀

光伏逆變器(PV inverter或solar inverter)可以將光伏(PV)太陽(yáng)能板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率交流電(AC)的逆變器,可以反饋回商用輸電系統(tǒng),或是供離網(wǎng)的電網(wǎng)使用。光伏逆變器是光伏陣列系統(tǒng)中重要的系統(tǒng)平衡(BOS)之一,可以配合一般交流供電的設(shè)備使用。

光伏逆變器

光伏逆變器會(huì)用最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)的技術(shù)來從太陽(yáng)能板抽取最大可能的功率。太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)輻照度、溫度及總電阻之間有復(fù)雜的關(guān)系,因此輸出效率會(huì)有非線性的變化,稱為電流-電壓曲線(I-V curve)。最大功率點(diǎn)追蹤的目的就是在各環(huán)境下,針對(duì)太陽(yáng)能模組的輸出取様,產(chǎn)生一個(gè)(太陽(yáng)能模組的)負(fù)載電阻來獲得最大的功率。

太陽(yáng)能電池的形狀因子(Fill factor,簡(jiǎn)稱FF)配合其開路電壓(Voc)及短路電流(Isc)會(huì)決定太陽(yáng)能電池的最大功率。形狀因子定義為太陽(yáng)能電池的最大功率除以Voc和Isc乘積后的比值。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?俗稱電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),被譽(yù)為綠色能源的“核芯”。

IGBT晶圓片經(jīng)歷了一系列的迭代過程從PT技術(shù)向NPT技術(shù),再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí),使芯片變薄,降低了熱阻,并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引入;持續(xù)降低了Vce,并提高了功率密度;通過表面金屬及鈍化層優(yōu)化,可滿足車用的高可靠性要求。

FS相對(duì)于NPT而言,背面增加了N型注入、硅片更薄,硅片在加工過程中的碎片率上升。更薄的N-區(qū)電阻小,使VCESAT更低;更薄N-層導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)的過剩載流子總量少,使關(guān)斷時(shí)間及關(guān)斷損耗減少。

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IGBT晶圓 - P81MV023NL0014P

由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV023NL0014P是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。

目前國(guó)內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流;平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片,低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流。

臺(tái)灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進(jìn)入新能源汽車、充電樁電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域,并受到客戶的青睞,ISWEEK工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案,歡迎致電咨詢。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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