在我們的日常工作中，電源管理對實現電子元件的進一步集成至關重要。數十年來，TI 致力于開發新的工藝、封裝和電路設計先進技術，從而為您的設計提供出色的電源器件。

無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器（ TI ）是與您攜手推動電源進一步發展的合作伙伴。

TI如何實現低噪聲和高精度的方法詳解：增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和精度。

要實現精密信號鏈，低噪聲LDO穩壓器和開關轉換器、精密的監控和可靠的保護是必不可少的。對于電動汽車電池監測、測試和測量以及醫療等應用，TI使用專用的電源處理技術以及先進的電路和測試技術，可提高精度、更大限度地減少失真，并降低線性和開關電源轉換器的噪聲。

TI低噪聲和高精度技術的優勢

減少IC誤差源

（1）利用TI高度優化的低噪聲互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝來減少工藝的非理想因素

（2）利用先進的電路和測試技術來降低工藝非理想因素的影響

圖 1. 噪聲與頻率曲線圖

（3）采用了陶瓷封裝和電路板應力管理等先進技術

圖 2. 調節器件和電路板應力

系統噪聲消減

（1）技術的進步支持通過高電源抑制比（PSRR）低壓降穩壓器（LDO）和片上濾波實現更高的系統級抗干擾和抗噪性能

圖 3. 高PSRR可實現更好的濾波

和更低的輸出噪聲

如何降低LDO噪聲？

LDO中的主要噪聲源來自帶隙基準源，可使用兩種方法來降低 LDO 中的噪聲。下面內容詳細說明了這兩種方法。

降低噪聲的一種方法是降低LDO帶寬，這可以通過降低LDO內部誤差放大器的帶寬來實現。但是，如果我們降低誤差放大器的帶寬，則會降低LDO瞬態響應速度。

另一種方法是使用低通濾波器（LPF）。我們知道，LDO噪聲的最主要來源是內部的帶隙基準源。因此，我們可在帶隙輸出和誤差放大器輸入之間插入一個 LPF，從而在誤差放大器將帶隙噪聲放大之前將其降低。通常，該LPF由一個內部大電阻器和一個外部電容器組成。此濾波器的截止頻率設置得越低越好，從而濾除幾乎所有的帶隙噪聲。

這里始終有一個問題：為什么占用大部分芯片面積的大功率導通元件（主要是FET）不是主要噪聲源？答案是沒有增益。作為主要噪聲源的帶隙基準源連接至誤差放大器的輸入端，因此會被誤差放大器的增益放大。我們知道，要研究輸出噪聲，首先要了解運算放大器輸入的每個噪聲影響因素；所以，要研究導通FET的噪聲，需要先找到噪聲的影響因素，即導通FET和誤差放大器輸入之間的開環增益。開環增益非常大，因此導通FET的其他噪聲影響因素通常可以忽略不計。

審核編輯：湯梓紅