GaN 功率晶體管是支持極端太空任務的功率和射頻應用的理想選擇。EPC Space通過其新的 eGaN 解決方案保證輻射硬度性能和 SEE（單事件效應）抗擾度，其器件專為商業(yè)衛(wèi)星空間的關鍵應用而設計，具有極高的電子遷移率和低溫系數(shù)以及極低的 R DS (on) 值。

“EPC Space 是 VPT 和 EPC 的合資企業(yè)。VPT 是航空電子、軍事、太空和工業(yè)應用電源轉換領域的領導者，而 EPC 是基于 GaN 的電源轉換技術的領導者。EPC Space 是 Freebird Semiconductor 的繼任者，F(xiàn)reebird Semiconductor 成立于 2015 年，”EPC Space 首席執(zhí)行官 Bel Lazar 說。

現(xiàn)代電信衛(wèi)星的結構旨在優(yōu)化將它們放置在適當軌道上的過程并更好地發(fā)揮其功能。衛(wèi)星由中央部分組成，大部分電子設備、推進系統(tǒng)和相關的坦克都位于該部分。環(huán)繞地球軌道上的各種衛(wèi)星和最遠地區(qū)的探索衛(wèi)星上的電子設備通過伽馬射線、中子和重離子獲得某種形式的能量。

空間輻射流主要由 85% 的質子和 15% 的重核組成。輻射的影響會導致設備性能下降、中斷和不連續(xù)。

這種轟擊會對半導體造成一系列損壞，例如破壞晶體。特別是，它可能會在非導電區(qū)引起陷阱，或產生電子-空穴對云，從而通過造成短路使器件的操作不平衡。在 eGaN 器件中，來自太空的高能粒子無法產生瞬時短路，因為無法產生電子空穴對。

空間輻射

帶電粒子和伽馬射線會產生電離，從而改變設備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測量，即每克材料 100 ergs 的吸收能量。衛(wèi)星任務的持續(xù)時間可以持續(xù)數(shù)年，因此可以積累很大的 TID 值。一些深空任務需要 10 兆拉德，而硅無法支持它們?？馆椛湟鬀Q定了從頭開始設計電子元件以承受輻射的影響。

圖 1：典型硅 MOSFET 的橫截面 [來源：EPC Space]

圖 1 是典型硅 MOSFET 的橫截面。它是一個垂直器件，頂面有源極和柵極，底面有漏極。柵極通過一層二氧化硅與溝道隔開。在基于硅的 MOSFET 中，輻射通過觸發(fā)柵極中的正電荷來降低電壓閾值，直到晶體管從常關或增強模式變?yōu)槌ｉ_或耗盡模式狀態(tài)，從而破壞該氧化物基極上的電子。為了實現(xiàn)等效操作，您需要一個負電壓來關閉 MOSFET。

由于高能輻射在空間環(huán)境中發(fā)生的單事件效應 (SEE) 是不可預測的，并且可能在航天器任務期間的任何時間發(fā)生。SEE 由幾種現(xiàn)象組成；瞬態(tài)效應（或軟錯誤），如單事件瞬態(tài) (SET)、單事件翻轉 (SEU)，災難性效應，如單事件燒毀 (SEB)、單事件門破裂 (SEGR) 和單事件閂鎖 (SEL) . 每個 SEE 背后的機制包括在粒子通過后設備的敏感區(qū)域中的電荷積累。

單事件柵極破裂是由高能原子引起的高瞬態(tài)電場穿過柵極氧化物導致柵極氧化物破裂，如圖 2 所示。器件的漂移區(qū)，那里有相對高的電場。

圖 2：MOSFET 中的單事件柵極破裂 (SEGR) 由高能原子在柵極氧化物上產生高瞬態(tài)電場引起，從而破壞柵極氧化物 [來源：EPC Space]

高能粒子通過產生大量電子對和空穴來失去能量。后者會導致設備發(fā)生瞬間短路，從而損壞設備。在某些情況下，它甚至可能對其他組件造成損壞，在這種情況下，請參考單事件翻轉或 SEU。

“發(fā)生的事情是，比方說，錯過了門，它穿過設備的另一部分，這個粒子的能量不僅會損壞晶體，還會導致巨大的電子和空穴云，它們導通，在此過程中，設備會發(fā)生瞬間短路。這就是所謂的單一事件擾亂，”EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 說。

氮化鎵晶體管

與硅 MOSFET 相比，增強模式下的 GaN (eGaN?) 器件的構造方式不同。所有三個端子都位于頂面。如同在硅 MOSFET 中一樣，源極和柵極之間的傳導是通過將柵極電極從零伏極化到正值 (5V) 來調制的。柵極與下方的溝道通過一層氮化鋁和鎵隔開。當受到伽馬輻射時，該層不會累積電荷（圖 3）。

圖 3：典型增強型 GaN (eGaN?) 器件的橫截面 [來源：EPC Space]

“GaN 本質上是難以承受總劑量的輻射，這是在設備的整個生命周期內輻射的積累。但是，為了能夠承受單一事件，您必須以不同于商業(yè)設備的方式設計它們，”EPC Space 首席執(zhí)行官 Bel Lazar 說。

“在 GaN 器件中，我們沒有氧化物。所以我們沒有單一事件，門破裂。EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 表示，GaN 中沒有可以良好傳導的孔洞，因此您不會遇到單一事件。

為了展示 eGaN 器件的性能，EPC Space 的 100 V 系列 eGaN 晶體管經受了 500 kRad 的伽馬輻射。在測試期間，測量了從漏極到源極和柵極到源極的漏電流，以及器件在各個檢查點的閾值電壓和導通電阻，確認器件性能沒有顯著變化。

“對于單事件效應，我們開發(fā)了一個非常有趣的激光測試，我們實際上可以使用緊密聚焦的激光模擬高能粒子。我們可以移除設備的背面并通過氮化鎵發(fā)射激光，看看哪些區(qū)域是脆弱的。了解設備最薄弱的部分使我們能夠改進我們的設計，”EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 說。

圖 4 顯示了 eGaN 器件在重離子轟擊下的主要故障機制。條件大約是極化裝置上的 85 LET 金原子束所能達到的最大值。

圖 4：重離子轟擊下 eGaN 器件的 SEE 主要故障機制 [來源：EPC Space]

縱軸為器件的漏電流，橫軸為器件每平方厘米吸收的重離子數(shù)。虛線表示柵源漏電流，實線表示三個eGaN FBG10N30 100V漏源漏電流。與漏源漏電流不同，漏源電流 Ig 在轟擊過程中不會改變，漏源漏電流隨著轟擊的增加而增加。這種漏源漏電流的增加是 eGaN 器件在重離子轟擊下的主要故障模式，這也是我們通過激光測試大大改進的機制。

此外，GaN 優(yōu)于中子輻射，因為與硅相比，它具有更高的位移閾值能量（圖 5）。

圖 5：位移能與各種晶體的晶格常數(shù)倒數(shù)的比較 [來源：EPC Space]

GaN 可用于制造半導體器件，例如二極管和晶體管。電源設計人員可以選擇 GaN 晶體管而不是硅，因為它具有小尺寸和高效率。與具有更高熱管理要求的硅器件相比，GaN 晶體管還消耗更少的功率并提供更高的熱導率。新功率器件還具有固有的抗輻射性（rad-hard），并提供高達 600C 的理論結溫工作。

“在太空任務中，所涉及的電壓實際上低于大多數(shù)交流線路電壓，因此最好使用 200 伏，有時 300 伏的設備。在該范圍內，GaN 的性能僅比碳化硅高得多，因此它是更好的選擇。此外，未來，氮化鎵作為橫向器件更容易集成。所以，我們已經在太空中飛行集成電路，隨著時間的推移，隨著集成電路密度的提高，它會變得越來越好。另一件事是碳化硅，如果它是晶體管，它往往是一個MOS晶體管。并且該氧化物不是天然氧化物。因此，與硅 MOSFET 相比，它在總入射劑量方面存在更大的問題，”EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 表示。

衛(wèi)星中的電力負載可能會有很大差異，這取決于要執(zhí)行的子系統(tǒng)和功能。對衛(wèi)星電源系統(tǒng)的保護對于防止所提供的設備出現(xiàn)故障可能會降低其性能甚至使其停止服務至關重要。

可以使用 GaN 的關鍵領域是射頻和功率轉換。

eGaN FET 具有輻射耐受性、快速開關速度和更高的效率，通過提高頻率以允許使用更小的電感器并提供良好的效率，從而使電源變得更小、更輕。eGaN FET 也比等效的 MOSFET 小。

圖 6：使用 EPC Space GaN 器件的 VPT SGRB10028S 轉換器的照片和典型的測量效率 [來源：EPC Space]

GaN 功率晶體管是空間功率轉換應用的理想選擇。當暴露于各種形式的輻射時，eGaN 器件比硬輻射 MOSFET 更堅固。GaN 的電氣和熱性能也展示了在空間環(huán)境中的卓越操作。

審核編輯：郭婷