AMAZINGIC晶焱科技簡述靜電防護(hù)議題與保護(hù)方案
ESD 保護(hù)元件─ 未來不可避免的設(shè)計任務(wù)
隨著晶片功能高度整合與電晶體密度的提升,晶片本身對靜電耐受度逐步降低。現(xiàn)在晶片對于靜電的耐受程度,有些僅有約1kV~2kV的”元件等級”,此程度的耐受度僅可防止晶片于工廠內(nèi)生產(chǎn)或產(chǎn)品整機(jī)制作中遭受靜電破壞;在產(chǎn)品設(shè)計時,多數(shù)設(shè)計者會參照”系統(tǒng)等級”的IEC61000-4-2靜電放電波形,來模擬產(chǎn)品在終端遇到的靜電放電;此外,若產(chǎn)品使用于不穩(wěn)定的環(huán)境中,如室外或電力設(shè)備不完善的地區(qū),有些設(shè)計者會再額外參考IEC61000-4-5來模擬雷擊耦合或帶電插拔等持續(xù)時間更長的突波。
圖 1. ESD測試方式與模擬情況
換言之,在測試要求不變甚至更嚴(yán)苛的情況下,晶片本身卻逐漸脆弱,因此如何在不影響原有功能下,設(shè)計有效且經(jīng)濟(jì)的保護(hù)方案來提升系統(tǒng)對靜電的耐受度就逐漸受到重視。
以下介紹靜電防護(hù)方案從過去到現(xiàn)在的演變,及如何有效地挑選合適的靜電保護(hù)元件。
Varistor ─ 靜電防護(hù)的早期手段
以前的晶片并不像現(xiàn)在將許多功能整合在一起,相比之下,它制程線寬大,電晶體密度較低,且有足夠的空間設(shè)計防護(hù)電路,因此有著更強(qiáng)大的自我保護(hù)能力;此外,較大的產(chǎn)品體積拉開了靜電打入敏感線路的距離,加上以前產(chǎn)品多使用金屬外殼,而金屬外殼有效地宣泄靜電能量,造就以前設(shè)計的產(chǎn)品對靜電耐受本身就高,因此設(shè)計者在對外接口或晶片周圍添加Varistor后,就可以有效的避免產(chǎn)品遭受靜電破壞。
Varistor是一個透過材料特性,在面對過電壓時產(chǎn)生導(dǎo)通路徑的保護(hù)元件;然而,Varistor本身并不是一個理想的靜電保護(hù)元件,因?yàn)椴牧咸匦詫?dǎo)致它有老化現(xiàn)象,加上較高的啟動電壓與鉗制電壓,使得Varistor即使成功的啟動,它所提供的保護(hù)能力卻并不一定符合系統(tǒng)需求;但在產(chǎn)品本身良好放電路徑與放電距離晶片較大的情況下,Varistor的保護(hù)能力在過去仍然被設(shè)計者采納。
圖 2. TLP圖 - 了解TVS在不同條件下的鉗制電壓
Varistor | TVS | Comments | |
Trigger Voltage | High | Low | Turn on condition |
Clamping Voltage | High | Low | Portection Ability |
Aging Issue | Yes | No | Stability |
Package | Single channel | Array | Cost and Design |
表 1. Varistor與TVS的比較
晶焱科技與靜電放電保護(hù)
晶焱科技有著20年以上設(shè)計ESD/EOS保護(hù)方案的經(jīng)驗(yàn),我們持續(xù)地追蹤市場最新應(yīng)用來提前布局規(guī)劃產(chǎn)品,讓新開發(fā)的TVS可以即時的滿足客人的需求。目前最新傳輸介面如USB4、HDMI 2.1與DP 2.0等等,都已經(jīng)有著完善的靜電保護(hù)方案;此外,車用通訊界面如CAN Bus與LIN Bus,也有著相對應(yīng)的產(chǎn)品進(jìn)行靜電保護(hù)。
一直以來市場上都是需要經(jīng)濟(jì)、有效且實(shí)用的方案,晶焱科技也因此推出了一系列整合式產(chǎn)品來讓客戶既減少了元件使用數(shù)量,也減少TVS在PCB上的使用空間。
應(yīng)用與推薦用料
1. USB4
USB 4采用的Type C接口中,TX/RX推薦使用AZ5B9S-01F,此TVS有極低電容與極低鉗制電壓,D+/D-與CC/SBU則可以透過AZ5B85-01B這顆小封裝5V的TVS來保護(hù)。
2. Automotive
車用TVS需要通過AEC-Q101的認(rèn)證,以下的推薦用料均有通過AEC-Q101認(rèn)證。 AZ9424-02S是一個可以用于保護(hù)CAN_H與CAN_L的雙通道保護(hù)元件,而AZ9824-01L則可以用于保護(hù)LIN Bus的TVS。
車輛設(shè)計上除了CAN Bus與LIN Bus,一些常用的娛樂設(shè)備如USB 3.0,則推薦使用AZ9143-04F,此4通道的TVS,可以一次保護(hù)USB 3.0的TX/RX。
3. HDMI 2.1
HDMI 2.1里面的高速訊號線TMDS/FRL通常會被Pull High至3.3V。此外,因?yàn)镠DMI 2.1的單通道速度高達(dá)12Gbps,因此需要極低的電容以避免TVS干擾到HDMI的訊號以及阻抗測試。AZ1123-04F是一個3.3V的低電容與低鉗制電壓的TVS,除此之外,因應(yīng)HDMI的EOS測試規(guī)定逐漸嚴(yán)格,AZ1123-04F高達(dá)6.5A的Peak Pulse Current可以滿足越來越嚴(yán)格的測試要求。 HDMI剩余的控制線訊號可以使用一顆AZC199-04S來保護(hù),此保護(hù)元件特別的地方在于,Vcc有內(nèi)含Back Driver Diode在內(nèi),因此在線路設(shè)計上可以減少一顆Back Driver Diode的使用。
4. 10G LAN
網(wǎng)路設(shè)備因?yàn)橛邪惭b戶外的可能性,所以會以較嚴(yán)格的IEC61000-4-5或GR 1089來做測試,而Peak Pulse Current則是TVS能否協(xié)助通過這些測試的其中一項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)。 AZ5B0S-01F可以滿足在10G LAN高速環(huán)境下還需要高Peak Pulse Current的需求,AZ5B0S-01F在只有0.18pF寄生電容的設(shè)計下,還擁有高達(dá)7A的耐受度,是一個十分適合10G LAN線對線的保護(hù)方案。
如何正確挑選最適合的TVS?
1. 操作電壓
在系統(tǒng)正常運(yùn)作下,TVS是不該啟動的,因此操作電壓即是在告知設(shè)計者該TVS可以應(yīng)用的電壓情況。在符合TVS操作電壓的環(huán)境下,TVS僅有nA等級的漏電流;而一旦TVS因ESD或EOS事件啟動后,TVS會將大部分能量(電流)宣泄至地,并在該ESD或EOS事件結(jié)束后回復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。
2. 鉗制電壓
此參數(shù)適用于判斷一個TVS的保護(hù)能力。當(dāng)一個靜電放電情形出現(xiàn),TVS會迅速地啟動并將電壓鎖在鉗制電壓來保護(hù)后方的晶片;若此時的鉗制電壓過高,則后方晶片就會面對此過高的電壓,那整個系統(tǒng)仍然有機(jī)會被干擾甚至被破壞,因此鉗制電壓應(yīng)越低越好。而鉗制電壓的數(shù)據(jù)來自于TLP圖形,在比較兩個不同的TVS鉗制電壓時,可以透過TLP圖來比較,在同樣條件下,較低鉗制電壓的TVS預(yù)期會有比較好的靜電放電測試結(jié)果。
3. 電容
電容是TVS是否影響訊號完整度以及阻抗測試的關(guān)鍵,有些晶片廠甚至?xí)?guī)定在某些傳輸介面上,整條路徑的電容值需低于固定數(shù)值才能有效通訊,通常越低的TVS電容值,在設(shè)計上會有更大的彈性,因此在高速應(yīng)用中都會建議使用低電容的TVS。
4. Ipp (Peak Pulse Current)
此參數(shù)是用來評斷該TVS在面對更高能量如EOS的耐受程度,若產(chǎn)品測試使用IEC61000-4-5波行來測試,Ipp則為在挑選中的重要參數(shù)。不過該參數(shù)有時候會以Peak Pulse Power來表示,這是Ipp與鉗制電壓相乘的結(jié)果,在換算時除掉鉗制電壓便可約略換算該TVS的Ipp。
5. 封裝
雖然單通道TVS有著較高的彈性設(shè)計,但也因此占據(jù)掉較多的PCB空間;相比于單通道,多通道設(shè)計在PCB空間占據(jù)上就明顯節(jié)省許多,尤其是高速訊號線是多對差分訊號,此時使用多通道便可以有效地節(jié)省PCB面積與降低使用元件個數(shù)。
圖3. TVS挑選步驟
結(jié)論
晶片ESD耐受的降低已經(jīng)是一個無法被忽視且棘手的問題,從設(shè)計者逐漸舍棄Varistor改使用TVS便可以看出,產(chǎn)品的ESD保護(hù)設(shè)計已經(jīng)被認(rèn)為是必要且需要逐步加強(qiáng)的。晶焱科技持續(xù)在ESD領(lǐng)域的研究,隨時觀察市場實(shí)際應(yīng)用,讓我們可以在不同靜電防護(hù)需求時,提供最佳且最新的ESD保護(hù)方案。
審核編輯 黃昊宇
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