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MEMS射頻開關(guān)可在惡劣的軍事環(huán)境中替代EMR

王桂英 ? 來源:hfgdzc ? 作者:hfgdzc ? 2022-08-17 17:47 ? 次閱讀

無論是在地面、空中、海上還是太空中運行,國防電子系統(tǒng)都面臨著巨大的挑戰(zhàn),從廣泛而快速的溫度變化到極端的沖擊和振動。他們必須在多年甚至數(shù)十年完美運行的同時忍受這些濫用,這就是為什么國防部、DARPA 和軍事承包商不斷探索能夠滿足嚴格軍事規(guī)范的先進組件、材料和制造工藝的原因。最近的成功案例之一是用于射頻應(yīng)用的微機電系統(tǒng) (MEMS),其中射頻開關(guān)就是一個很好的例子。

MEMS 技術(shù)克服了可能無法克服的挑戰(zhàn),主要但不完全是為了實現(xiàn)使用壽命和可靠性。通往成功的道路需要二十多年的大量研究和開發(fā),并在此過程中留下了失敗的嘗試(和公司)的痕跡。

也就是說,這是值得的。與傳統(tǒng)的機電繼電器 (EMR) 相比,MEMS 射頻開關(guān)的速度要快 1,000 倍,體積至少要小 90%,功耗僅為十分之一毫瓦,并且可以處理至少 20W CW 的射頻輸入功率。最先進的 MEMS 射頻開關(guān)可以承受超過 30 億次開關(guān)操作,而且它們的壽命很可能很快就會達到 200 億次開關(guān)操作。

與 MEMS 開關(guān)最接近的競爭對手是固態(tài)器件。與 EMR 相比,它們更小、更快、更可靠。然而,固態(tài)開關(guān)比 MEMS 開關(guān)消耗更多的功率,產(chǎn)生的熱量必須通過散熱器或復雜的熱管理方案消散。最后,半導體永遠不會完全“關(guān)閉”,由此產(chǎn)生的泄漏電流會浪費功率。盡管工程師多年來一直在努力克服射頻 EMR 和固態(tài)開關(guān)的缺點,但這些改進都是一系列妥協(xié),而不是“理想”的解決方案。

嚴密的防守

MEMS 射頻開關(guān)的可靠性和穩(wěn)健性對航空航天和國防工業(yè)很感興趣,因為這些設(shè)備必須在一個平臺上運行數(shù)年或數(shù)十年。即使是單個開關(guān)的故障也可能產(chǎn)生災(zāi)難性的后果,尤其是當它位于子系統(tǒng)的關(guān)鍵部分時。此外,尺寸、重量、功率和成本是衡量國防或航空航天系統(tǒng)中所有組件的關(guān)鍵指標,而 MEMS 射頻開關(guān)滿足這些要求。例如,采用 2.5 × 2.5 × 0.9-mm 芯片級封裝的單個 MEMS 開關(guān)可以替代多個 EMR,并且大型 MEMS 開關(guān)矩陣比單個 EMR 消耗更少的直流功率。

使 MEMS 射頻開關(guān)變得可靠的最大障礙一直是金屬疲勞問題,這會導致工作壽命短和可靠性問題,這阻礙了這些設(shè)備在市場上的應(yīng)用。然而,合金的進步已經(jīng)有效地消除了 MEMS 器件的失效機制。

通用電氣 (GE) 的研究人員解決了大多數(shù)這些進步,包括金屬疲勞。該公司需要能夠為其斷路器處理高水平交流和直流電源的開關(guān)技術(shù),并發(fā)現(xiàn)當前的 MEMS 實施在苛刻或其他惡劣操作條件下的可靠性方面存在重大缺陷。

從 2004 年開始,GE 開始為 MEMS 設(shè)備開發(fā)高溫、極其可靠的金屬合金,這種合金可以承受極端工作溫度而不會犧牲性能。關(guān)鍵挑戰(zhàn)是如何大規(guī)模制造這些微型設(shè)備,并將它們配置為能夠承受數(shù)千伏、數(shù)十安培和千瓦的射頻功率,同時運行數(shù)年甚至數(shù)十年而不會出現(xiàn)故障。

GE 與多個行業(yè)合作伙伴于 2016 年創(chuàng)建了 Menlo Micro 作為一家獨立公司,以進一步發(fā)展 MEMS 開關(guān)技術(shù),其結(jié)果就是 Menlo Micro 所稱的Ideal Switch。然后,Menlo Micro 在 GE 的研究基礎(chǔ)上設(shè)計了自己的歐姆 MEMS 開關(guān),使用電沉積合金創(chuàng)建了專有的制造工藝,并生產(chǎn)了具有金屬導電性的靜電驅(qū)動梁/接觸結(jié)構(gòu)。

在致動器金屬疲勞方面,MEMS 器件具有固有的優(yōu)勢,因為雖然所有開關(guān)都采用金屬梁進行致動,但 MEMS 開關(guān)致動器非常小,以至于它們的質(zhì)量可以忽略不計。這意味著即使在極端沖擊和振動條件下,大多數(shù) EMR 在相同條件下都會失效,它們也可以提供一致的性能。即使在超過 100 g 的加速度下,這些開關(guān)仍然保持可靠,遠遠超過 EMR 可以適應(yīng)的范圍以及 IEC 60601/60068 標準和 MIL-STD 810G/H 對振動和沖擊應(yīng)力的要求。Ideal Switch 已暴露于 –196?C 的液氮浴和溫度低于 10 K 的量子計算稀釋冰箱中,沒有出現(xiàn)故障。

Menlo Micro 的開關(guān)采用玻璃通孔封裝制造,采用短金屬化通孔,可顯著減小開關(guān)尺寸;消除射頻和微波應(yīng)用的引線鍵合;并將封裝寄生效應(yīng)降低 75% 以上。這項創(chuàng)新使 Ideal Switch 產(chǎn)品組合能夠在 DC 至 26 GHz 范圍內(nèi)運行,即將推出的設(shè)計能夠推動超過 60 GHz。

Menlo Micro 的最新射頻開關(guān) MM5120 SP4T 開關(guān)在 –40?C 至 150?C 的溫度范圍內(nèi)工作,在 DC 至 18 GHz 的射頻性能變化極小。它處理 25-W CW(150-W 脈沖)功率,三階截點 (IIP3) 處的線性度大于 90 dBm。

該開關(guān)的通態(tài)插入損耗在 6 GHz 時僅為 0.4 dB,功耗小于 5 mW,并且具有保證的工作壽命,至少 30 億次開關(guān)周期不會導致性能下降。表 1 顯示了射頻開關(guān)產(chǎn)品的性能摘要。

表 1:可用射頻開關(guān)產(chǎn)品的性能總結(jié)

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(來源:門羅微)

概括

EMR 已成為數(shù)十種射頻應(yīng)用的主要產(chǎn)品,從自動測試系統(tǒng)到電信設(shè)備再到防御系統(tǒng),它不太可能很快從市場上消失。然而,現(xiàn)在 MEMS 射頻開關(guān)的技術(shù)問題已經(jīng)解決,EMR 的競爭對手沒有它的限制,提供更好的性能、更低的成本、更小的數(shù)量級,并且可以更好地承受航空航天帶來的嚴酷考驗和防御系統(tǒng)。此外,MEMS 射頻開關(guān)在線性度、泄漏和功率效率方面優(yōu)于固態(tài)同類產(chǎn)品。

雖然 Menlo Micro 的 Ideal Switch 推出僅幾年時間,但它已經(jīng)實現(xiàn)了曾經(jīng)被認為不可能的使用壽命,并將其頻率范圍擴展到毫米波區(qū)域,并繼續(xù)提高其處理更高級別射頻功率的能力。Ideal Switch 為防御系統(tǒng)設(shè)計人員提供了一種替代方案,可用于開關(guān)矩陣、接收器前端、可調(diào)諧濾波器、天線調(diào)諧器、設(shè)備接口板、數(shù)字步進衰減器以及 MIMO 天線陣列和有源電子轉(zhuǎn)向陣列 (AESA) 雷達中的波束控制。

審核編輯:湯梓紅

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