直接半導體遠場輻射
電磁輻射可能或輻射或傳導,后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來講,半導體器件是 EME 的來源,如微控制器。眾所周知,越接近噪聲源,電磁輻射的對策越廉價。由于大部分標準的 EME 輻射測量是用遠場(r>?)定義的,所以本應用筆記以半導體器件的直接輻射為開端介紹遠場。
流過電線的任何電流都會引起遠場輻射,為了得到可接受的半導體輻射的最差情況,具有極端參數的平直導線(赫茲偶極子)和電流環路應按下列公式計算:
2.1.1 平直導線(赫茲偶極子)
在自由空間(周圍無導電材料)里,據[1]最高電場‘情況下可以按下式計算:
例如:
根據 IEC61967–4 標準,展示了典型的器件在 20dBμA(10μA )、100MHZ(?= 3m)條件下的地電流 。 假定此電流經過 10mm 長的獨立導線,并且返回電流離(無賠償遠場)此電場在 10m 之外,計算如下:
上面是近似極端的假設,實際直接輻射裝置應遠低于-6 dBμV/m。 很明顯,和普通器件輻射的強度相比,片內導線的直接器件輻射可以忽略不計。
2.1.2 電流環路
假定電流為 100μA(40 dBμA)、頻率為 100MHz(?=3m)、環路面積為 1mm2、測量距離為 10m,產生的電場是:
顯然來自片上環路電流的直接器件輻射可以忽略,如電源等。尤其是這是在基于極端的假定的情況下計算的。
2.2 近場輻射
一般來講,從近場到遠場的過度是與信號的波長相關的。在式[1],如果為近場,中間有個過度區間。一般來說,由于結構而引起的射頻功率應保持足夠小以使它們遠場發射低。即使這樣,近場輻射可以在附近激勵天線結構,并且明顯地增強遠場輻射。這些系統效果不在這里贅述。
審核編輯:湯梓紅
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