簡(jiǎn)單介紹TOREX功率MOSFET
功率MOSFET是專門針對(duì)解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開(kāi)關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢(shì)。功率MOSFET和IGBT具備隔離的柵極體，因此更容易驅(qū)動(dòng)器。功率MOSFET的缺點(diǎn)是增益小，偶爾柵極驅(qū)動(dòng)的電壓甚至是少于實(shí)際要控制的電壓。
TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速電源開(kāi)關(guān)特性。適合于各種設(shè)備應(yīng)用，如繼電器電路和開(kāi)關(guān)電源電路。
一個(gè)柵極保護(hù)二極管內(nèi)置作為防靜電措施。緊湊型的SOT-323-3A(2.1x1.25xH0.95mm)適用于TOREX功率MOSFET封裝器件，以推動(dòng)設(shè)備微型化。
除此之外，TOREX功率MOSFET滿足歐盟RoHS指令，無(wú)鉛和環(huán)保。
TOREX半導(dǎo)體主要提供COMS、傳感器、二極管等元器件，產(chǎn)品以小體積、性能卓越而著名。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
TOREX
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
19瀏覽量
44643 -
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
349瀏覽量
21793
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
mosfet場(chǎng)效應(yīng)mos管介紹
MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，所以MOSFET的選型需要考慮的因素也比較多，許多工程師在選型時(shí)
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計(jì)中，為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性，常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而，MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡(jiǎn)單的器件堆疊，它涉及諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，如電流均衡、熱管
AOS MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
如今，由于對(duì)大電流和高功率應(yīng)用的需求不斷增加，單一的MOSFET已經(jīng)無(wú)法滿足整個(gè)系統(tǒng)的電流要求。在這種情況下，需要多個(gè)MOSFET并聯(lián)工作，以提供更高的電流和功率，這有助于減少導(dǎo)通損耗
提升電力電子效率：功率MOSFET的應(yīng)用與選擇指南
現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開(kāi)關(guān)頻率以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對(duì)較低的門電荷，使其非常適合中高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。這種較低的門電荷減少了驅(qū)動(dòng)電流的要求，從而
功率MOSFET的選型法則
功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成
功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理
功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理對(duì)于理解其工作特性、設(shè)計(jì)高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下將對(duì)功率MOSFET
功率MOSFET故障分析
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件，用于功率
成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《成功并聯(lián)功率MOSFET的技巧.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-29 10:37
?0次下載
解決芯片級(jí)功率MOSFET的組裝問(wèn)題
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解決芯片級(jí)功率MOSFET的組裝問(wèn)題.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 08-27 11:17
?0次下載
MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 07-13 09:39
?4次下載
功率mosfet應(yīng)工作于什么區(qū)
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，其工作原理與普通MOSFET類似，但
功率 MOSFET、其電氣特性定義
本應(yīng)用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說(shuō)明。介紹了功率MOSFET的破壞機(jī)制和
發(fā)表于 06-11 15:19
功率MOSFET的主要特點(diǎn)
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子領(lǐng)域尤其是電源管理
功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MOSFET
MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也稱為功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論