Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過程,是目前國(guó)內(nèi)唯一一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件??深A(yù)測(cè)材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。
迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。
本期將給大家介紹Nanodcal自旋器件1.2的內(nèi)容。
1.2. NiO 的 DFT+U的電子結(jié)構(gòu)
1.2.1. 研究背景
對(duì)于過渡族金屬元素主要是3d族,當(dāng)然也包括4d,5d族,和稀土元素,主要是鑭系;這些元素形成的合金或者化合物中,由于存在d電子或f電子,而這兩種電子都是強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子,在某些時(shí)候,傳統(tǒng)的DFT沒法描述,也就是LDA或GGA計(jì)算的結(jié)果是不對(duì)的,其主要表現(xiàn)在帶隙的大小上。產(chǎn)生這種計(jì)算錯(cuò)誤的結(jié)果是LDA或者GGA忽略了d或者f電子的強(qiáng)關(guān)聯(lián)作用,而通過平均場(chǎng)的Hubbard修正,俗稱DFT+U(一種半經(jīng)驗(yàn)修正),可以對(duì)使用LDA或者GGA計(jì)算的材料的帶隙進(jìn)行修正。本篇工作主要以NiO為例,通過不加U和加U計(jì)算NiO的態(tài)密度,觀察其對(duì)帶隙的修正作用。
在DFT+U中有一個(gè)額外的能量項(xiàng)加入到交換關(guān)聯(lián)能中:
其中,nμ為原子殼層上的投影,Uμ為原子殼層對(duì)應(yīng)的U值,EU能量項(xiàng)對(duì)于完全占據(jù)或未占據(jù)的殼層為零,而對(duì)于略微占據(jù)的殼層為正。
因此,如果狀態(tài)被完全占據(jù),能量就會(huì)降低。這可能發(fā)生在能級(jí)遠(yuǎn)離費(fèi)米能級(jí),即增加能帶隙,或如果狀態(tài)的展寬減小,即電子被局域化。這樣,Hubbard U就完善了LDA和GGA的不足之處。
NiO晶體在LDA和GGA中帶隙過低,是DFT+U近似可以用來改善固體電子結(jié)構(gòu)描述的標(biāo)準(zhǔn)例子之一。在本教程中,將使用GGA比較該系統(tǒng)的DFT和DFT+U模型。
1.2.2. 計(jì)算NiO的態(tài)密度
1.2.2.1. 模型搭建
-
雙擊圖標(biāo)“Device Studio快捷方式”打開軟件;
-
選擇Create a new Project→OK→文件名:NiO,保存類型:ProjectFiles(*.hpf) →保存即可;
-
右擊NiO,選擇New→Crystal,輸入對(duì)應(yīng)的晶格參數(shù)以及原子坐標(biāo),并點(diǎn)擊Build:
圖 1-1:建立晶體NiO結(jié)構(gòu)圖
1.2.2.2. 態(tài)密度計(jì)算(DFT)
1.2.2.2.1. 自洽計(jì)算
(1)點(diǎn)擊Simulator→Nanodcal→SCF Calculation→Generate file,建立Nanodcal計(jì)算所需自洽文件scf.input
,Ni_PBE-DZP.nad
,O_PBE-DZP.nad
%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 300calculation.realspacegrids.E_cutoff = 140 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = GGA_PBE96calculation.k_spacegrids.number = [ 6 6 6 ]'system.centralCellVectors = [[5.138 0 0]' [4.28153 2.84034 0]' [4.28153 1.29104 2.52997]']system.spinType = CollinearSpin%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName = {'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04,[],[],[],[],[]}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulay%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 4AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationNi PBE-DZP 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1O PBE-DZP 3.42526665 1.03284448 0.63249165 0Ni PBE-DZP 6.85053331 2.06568896 1.26498329 1O PBE-DZP 10.27579996 3.09853344 1.89747494 0end
-
選中
scf.input
文件右擊,點(diǎn)擊Run,并選擇計(jì)算所需的核數(shù):
圖 1-2:提交自洽計(jì)算界面圖
-
在Job manager中出現(xiàn)Finished表示計(jì)算結(jié)束
圖 1-3:NiO自洽計(jì)算完成的Device Studio的Job Manager區(qū)域
1.2.2.2.2. 態(tài)密度計(jì)算
-
在自洽計(jì)算的基礎(chǔ)上,準(zhǔn)備
DensityOfStates.input
的輸入文件,操作如下:
Simulator→Nanodcal→Analysis→DensityOfStates→Generate file
system.object = NanodcalObject.matcalculation.name = densityOfStatescalculation.densityOfStates.kSpaceGridNumber = [ 10 10 10 ]'calculation.densityOfStates.numberOfEnergyPoints = 401calculation.densityOfStates.energyRange = [-10 , 10]calculation.densityOfStates.whatProjected = 'Atom'
-
計(jì)算結(jié)束后,可以通過在DS中打開:Simulator→Nanodcal→Analysis Plot,找到對(duì)應(yīng)的
DensityOfStates.xml
文件,點(diǎn)擊打開:
圖 1-4:NiO態(tài)密度的可視化分析界面
-
可以通過以下命令將DOS的數(shù)據(jù)提取出來:
>>data.densityOfStates(:,:,1,:,1)+data.densityOfStates(:,:,3,:,1)
在orgin軟件中進(jìn)行繪制,得到總態(tài)密度以及Ni原子的投影態(tài)密度,如下圖:
圖 1-5:NiO的總態(tài)密度圖
圖 1-6:投影到Ni原子的態(tài)密度圖
1.2.2.3. 態(tài)密度計(jì)算(DFT+U)
1.2.2.3.1. 自洽計(jì)算
(1)點(diǎn)擊Simulator→Nanodcal→SCF Calculation→Generate file,建立Nanodcal計(jì)算所需自洽文件scf.input
,Ni_PBE-DZP.nad
,O_PBE-DZP.nad
%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 300calculation.realspacegrids.E_cutoff = 140 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = GGA_PBE96calculation.k_spacegrids.number = [ 6 6 6 ]'system.centralCellVectors = [[5.138 0 0]' [4.28153 2.84034 0]' [4.28153 1.29104 2.52997]']system.spinType = CollinearSpin%Hubbard U settingcalculation.Hubbard.isIncluded = truecalculation.Hubbard.parameterBlock = 2Ni PBE-DZP 0.00 0.00 4.60 0.00O PBE-DZP 0.00 0.00 0.00 0.00end%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName = {'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04, [], [], [], [], []}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulaycalculation.SCF.mixRate = 0.1calculation.SCF.mixingMode = Hcalculation.SCF.startingMode = H%calculation.SCF.donatorObject = NanodcalObject.mat%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 4AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationNi PBE-DZP 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1O PBE-DZP 3.42526665 1.03284448 0.63249165 0Ni PBE-DZP 6.85053331 2.06568896 1.26498329 -1O PBE-DZP 10.27579996 3.09853344 1.89747494 0end
(2)自洽文件生成后,參照2.2.1中的(2)和(3)進(jìn)行對(duì)應(yīng)的自洽計(jì)算。
1.2.2.3.2. 態(tài)密度計(jì)算
-
(1)在上一步自洽計(jì)算的基礎(chǔ)上,準(zhǔn)備
DensityOfStates.input
的輸入文件,操作如下: -
Simulator→Nanodcal→Analysis→DensityOfStates→Generate file
(2)計(jì)算結(jié)束后,可以通過在DS中打開:Simulator→Nanodcal→Analysis Plot,找到對(duì)應(yīng)的DensityOfStates.xml
文件,點(diǎn)擊打開:
圖 1-7:DFT+U的 NiO態(tài)密度的可視化分析界面
圖 1-9:DFT+U的 投影到Ni原子的態(tài)密度圖
(4)DFT+U相對(duì)于DFT的計(jì)算,其對(duì)帶隙的大小有著比較明顯的修正作用,所以在計(jì)算的過程中根據(jù)自己的研究體系,來決定計(jì)算是否需要+U,如圖:
圖 1-10
審核編輯 :李倩
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半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
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晶體
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal自旋器件(NiO 的 DFT+U的電子結(jié)構(gòu))
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