三星計劃在 2023 年初推出 32Gb DDR5 內存芯片，并在 2024 年推出 1TB 內存模塊。

為了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服務器平臺，三星計劃推出一系列全新的 DDR5 服務器內存模塊，配備業界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于 16Gb 和 24Gb DDR5 設備。三星 DDR5 創新的下一步——32Gb IC——將在 2023 年初推出，使該公司能夠在 2023 年底或 2024 年初制造 1TB 內存模塊。同時，三星打算在兩年內發布 7200 MT/s 數據傳輸率。

2024 年推出 1TB DDR5 RDIMM，Horizon 推出 2TB 模塊

JEDEC 的 DDR5 規范為服務器平臺帶來了巨大的好處。除了增強的性能可擴展性之外，它們還引入了增加每芯片和每模塊容量的新方法，以及增強的可靠性和提高產量的技術。此外，該規范允許構建高達 64Gb 的單片 DDR5 存儲設備，并將多達 16 個 DDR5 IC 堆疊到一個芯片中（最多 16 個容量低于 64Gb 的 IC）。因此，32Gb DDR5 IC 的出現不足為奇。

“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節點上開發，并計劃在明年初推出，”三星 DRAM 規劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和三星網絡研討會上表示（見三星在下圖中的演示）。“基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市。” 三星打算在明年初的某個時候正式推出 32Gb DDR5 設備，以慶祝其開發的完成。這些芯片將在 2023 年底推出，屆時三星可能會正式推出其基礎上的第一款產品——用于客戶端 PC 的 32GB 無緩沖 DIMM。稍后，該公司將展示其 1TB DDR5 內存模塊，該模塊將使用 32 個 8-Hi 32GB 堆棧，并將針對 2024 年至 2025 年時間范圍內的服務器平臺。 目前，像三星這樣的 DRAM 制造商使用多達 8 個存儲設備的 8-Hi 堆棧，但幾年后，他們將轉向更大的堆棧。例如，將 16 個 32Gb DRAM IC 或 8 個 64Gb DRAM IC 壓縮到一個堆棧中將使三星能夠構建 2TB 服務器級 DDR5 模塊，并允許每個插槽具有數十 TB 內存的機器（例如，支持兩個 DIMM 的 12 通道內存子系統每個通道可能會獲得高達 48TB 的內存）。

2025年DDR5-7200

一旦三星 32Gb DDR5 內存設備的產量達到與 16Gb IC 相當的水平，這些芯片將允許構建價格非常合理的單面 32GB DIMM，使臺式機愛好者能夠為他們的系統配備 128GB 內存而不會花很多錢。

但是雖然容量很重要，但對于發燒友來說，高速也很重要，因此三星正在努力提高 DDR5 設備的性能。該公司即將推出官方評級為 5200 MT/s – 5600 MT/s 的 IC，目標是即將推出的客戶端 PC 平臺。我們預計 Corsair 和 G.Skill 等模塊制造商將使用這些芯片來構建額定速度為 6800 MT/s 至 7000 MT/s 及更高的模塊，但這些將需要更高的電壓。 三星設想 DDR5 芯片僅在 2025 年才能在 JEDEC 標準 1.1 伏特下實現 7200 MT/s 的數據傳輸速率。DDR5-7200是三星一直在談論的速度箱，但沒有透露它預計何時生產合適的設備。在網絡研討會上，該公司最終展示了一張幻燈片，將“DDR5-7200+”歸因于 2025 年。因此，預計內存模塊專家將使用此類 IC 達到 10,000+ MT/s（或更高）的速度。 三星的 DDR5 服務器系列已為下一代服務器平臺做好準備。 三星及其業界同行一直在談論他們的服務器級 DDR5 內存模塊已經有一段時間了。盡管如此，由于沒有支持新型內存的服務器平臺，這些公告更多地是關于 DDR5 內存的承諾優勢，而不是實際用例。但現在AMD和Intel的下一代服務器平臺正在逼近，這些模塊最終會被使用。

三星于 2021 年年中正式推出其 512GB DDR5 寄存式 DIMM (RDIMM)內存模塊，甚至在此之前就已經開始對該產品進行抽樣。該模塊使用基于 8 個 16Gb DRAM 設備的 32 個 16GB 堆棧，代表了當今 DRAM 行業的巔峰之作。這些模塊將在 2022 年末或 2023 年初及時用于下一代 AMD EPYC（霄龍）“Genoa”和英特爾至強“可擴展”“Sapphire Rapids”服務器平臺。 但并不是每個人都需要 512GB 內存模塊，即使是服務器也是如此，因此三星去年 7 月推出了 24Gb DDR5 IC，以支持容量為 24GB、48GB、96GB 甚至更高的模塊。目前，三星并未透露基于 24Gb 設備制造 384GB 和 768GB 的計劃。盡管如此，其今年的 DDR5 模塊陣容包括從 16GB 到 512GB 的所有模塊，這足以在可預見的未來應對下一代 AMD EPYC（霄龍）“Genoa”和英特爾至強可擴展“Sapphire Rapids”平臺。 “去年，三星推出了 14nm DDR5 DRAM，現在它們正在加速增長，”Choi 說。“14nm 允許制造另一個更大的 [DRAM] 芯片，即 24Gb，它幾乎已準備好與 AMD 的服務器里程碑一起推出。今年三星將提供基于24Gb 芯片的多個陣容。”

雖然 24GB、48GB 或 96GB 模塊容量聽起來不像 512GB 容量那么令人印象深刻，但這些記憶棒可能對基于 AMD EPYC 'Genoa' 和 'Bergamo' 處理器的下一代服務器有所幫助。由于 AMD 的下一代服務器平臺支持 12 個內存通道，這些模塊將支持每個插槽具有 288MB、576GB 或 1152GB DDR5 內存的機器，這非常令人印象深刻。同時，由于 24GB、48GB 和 96GB 模塊不需要像三星的 512GB RDIMM（使用 8-Hi 3DS 堆棧）那樣復雜的芯片級封裝，它們可以提供令人印象深刻的容量、性能和價格組合。

概括

三星已準備好基于其單片 16Gb 和 24Gb DRAM IC 的服務器級 DDR5 內存模塊陣容。這些記憶棒的容量將在 16GB 和 512GB 之間，并將支持 AMD 的 Genoa/Bergamo 以及英特爾的 Sapphire Rapids 平臺支持的速度箱。 三星下一步將在 2023 年初推出 32Gb 單片 DDR5 芯片，并在 2023 年底或 2024 年初將其推向市場。這些芯片將使該公司能夠為未來的服務器平臺構建 1TB DDR5 內存模塊，并為客戶端 PC 構建廉價的 32GB UDIMM。 至于速度，三星期待在 2025 年左右推出 1.1V IC 的 DDR5-7200+，這將使超頻者的內存模塊生產商能夠制造額定運行速度為 10,000 MT/s 及以上的存儲產品。

審核編輯 ：李倩