為下一代工業(yè)自動(dòng)化控制器 構(gòu)建高通道密度數(shù)字IO模塊

【導(dǎo)讀】當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來(lái)，智能傳感器在工廠(chǎng)環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來(lái)一個(gè)重要變化，即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO，包括數(shù)字IO或模擬IO。由此，構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。

通常，PLC中的數(shù)字IO由分立式器件，例如電阻/電容或有獨(dú)立FET驅(qū)動(dòng)組成。為了盡可能減小控制器的尺寸，并且要求能夠處理2到4倍的通道數(shù)，這些都促使從分立式方案向集成式方案轉(zhuǎn)變。

此外，分立式方法存在諸多缺點(diǎn)，尤其是每個(gè)模塊處理的通道數(shù)達(dá)到8個(gè)或以上的情況。實(shí)際上，只要提到高熱量/功耗、數(shù)量龐大的分立式組件（從尺寸和平均故障間隔時(shí)間(MTBF)角度），以及需要可靠的系統(tǒng)規(guī)格時(shí)，都足以說(shuō)明分立式方法并不可行。

圖1顯示在構(gòu)建高密度數(shù)字輸入(DI)和數(shù)字輸出(DO)模塊時(shí)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。在DI和DO系統(tǒng)中，都需要考慮尺寸和散熱問(wèn)題。

圖1.數(shù)字輸入和輸出模塊的考量因素

對(duì)于數(shù)字輸入，還需注意它支持不同的輸入類(lèi)型，包括1/2/3類(lèi)型的輸入，以及在某些情況下，支持24V和48V輸入。在所有情況下，可靠的工作特性都非常重要，甚至斷路檢測(cè)也至關(guān)重要。

對(duì)于數(shù)字輸出，系統(tǒng)使用不同的FET配置來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。驅(qū)動(dòng)電流的精度通常是一個(gè)重要的考量因素。在許多情況下，診斷也必須考量。

下面將探討集成解決方案如何幫助解決其中一些挑戰(zhàn)。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸入模塊

傳統(tǒng)的分立式設(shè)計(jì)使用電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)將24V/48V信號(hào)轉(zhuǎn)換為微控制器可以使用的信號(hào)。前端也可以使用分立式RC濾波器。如果需要隔離，有時(shí)會(huì)使用外部光耦合器。

圖2顯示構(gòu)建數(shù)字輸入電路的一種典型的分立式方法。

圖2.采用分立式邏輯的傳統(tǒng)數(shù)字輸入設(shè)計(jì)

這種類(lèi)型的設(shè)計(jì)適合一定數(shù)量的數(shù)字輸入，即每個(gè)板4到8個(gè)。超過(guò)這個(gè)數(shù)字，這種設(shè)計(jì)很快會(huì)變得不實(shí)用。此種分立式方案會(huì)帶來(lái)各種問(wèn)題，包括：

● 高功耗和相關(guān)的板高溫點(diǎn)。

● 每個(gè)通道需要一個(gè)光耦合器。

● 部件過(guò)多會(huì)導(dǎo)致FIT率低，甚至需要更大的器件。

更重要的是，分立式設(shè)計(jì)方法意味著輸入電流隨輸入電壓呈線(xiàn)性增加。假設(shè)采用一個(gè)2.2K?輸入電阻和24V VIN。當(dāng)輸入為1，例如，在24V時(shí)，輸入電流為11mA，相當(dāng)于功耗為264mW。8通道模塊的功耗大于2W，32通道模塊的功耗大于8W。參見(jiàn)下方的圖3：

圖3.使用分立式邏輯構(gòu)建的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功耗

單從散熱角度，這個(gè)分立式設(shè)計(jì)無(wú)法支持單個(gè)板上的多個(gè)通道。

集成式數(shù)字輸入設(shè)計(jì)的最大優(yōu)勢(shì)之一在于顯著降低功耗，從而減少散熱。大多數(shù)集成式數(shù)字輸入器件允許可配置的輸入電流限制，以顯著降低功耗。

當(dāng)限流值設(shè)置為2.6mA時(shí)，功耗顯著降低，每個(gè)通道約為60mW。8通道數(shù)字輸入模塊的額定值現(xiàn)在可以設(shè)置為低于0.5瓦，如下方的圖4所示：

圖4.使用集成式DI芯片的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功率節(jié)省

反對(duì)使用分立式邏輯設(shè)計(jì)的另一個(gè)原因是：有時(shí)DI模塊必須支持不同類(lèi)型的輸入。IEC公布的標(biāo)準(zhǔn)24V數(shù)字輸入規(guī)格分為1型、2型和3型。1型和3型通常組合使用，因?yàn)槠潆娏骱烷撝迪拗刀挤浅Ｏ嗨啤?型具有6mA限流值，要更高一些。采用分立式方法時(shí)，可能需要重新設(shè)計(jì)，因?yàn)榇蟛糠址至⒅刀夹枰隆?/p>

集成式數(shù)字輸入產(chǎn)品通常支持所有這三種類(lèi)型。從本質(zhì)看，1型和3型一般受到集成式數(shù)字輸入器件支持。但是，為了滿(mǎn)足2型輸入最低6mA的電流要求，需要針對(duì)一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)輸入并聯(lián)使用兩個(gè)通道。而且只調(diào)節(jié)限流值電阻。這需要進(jìn)行電路板變更，但變更很小。

例如，當(dāng)前ADI的DI器件限流值為3.5mA/通道。所以，如圖所示，當(dāng)并聯(lián)使用兩個(gè)通道，如果系統(tǒng)必須接入2型輸入，則需調(diào)節(jié)REFDI電阻和RIN電阻。對(duì)于一些較新的部件，也可以使用引腳或通過(guò)軟件來(lái)選擇電流值。

圖5.并聯(lián)使用2個(gè)通道來(lái)支持2型數(shù)字輸入

要支持48V數(shù)字輸入信號(hào)（不是常見(jiàn)要求），需要使用類(lèi)似流程，必須添加一個(gè)外部電阻來(lái)調(diào)節(jié)現(xiàn)場(chǎng)一端的電壓閾值。設(shè)置此外部電阻的值，使得引腳的“限流值*R+閾值”，需滿(mǎn)足現(xiàn)場(chǎng)一端的電壓閾值規(guī)范（參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)）。

最后，由于數(shù)字輸入模塊與傳感器連接，因此設(shè)計(jì)必須符合可靠的工作特性要求。當(dāng)使用分立式方案時(shí)，必須仔細(xì)設(shè)計(jì)這些保護(hù)功能。選擇集成式數(shù)字輸入器件時(shí)，確保根據(jù)行業(yè)規(guī)范確定以下各項(xiàng)：

● 寬輸入電壓范圍（例如，高達(dá)40V）。

● 能夠使用現(xiàn)場(chǎng)電源（7V至65V）。

● 能夠承受高ESD（±15kV ESD氣隙）和浪涌（一般為1KV）。

提供過(guò)電壓和過(guò)溫診斷也非常有用，以便MCU采取合適的操作。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸出模塊

典型的分立式數(shù)字輸出設(shè)計(jì)具有一個(gè)帶驅(qū)動(dòng)電路的FET，由微控制器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。可以使用不同的方法來(lái)配置FET，以驅(qū)動(dòng)微控制器。

高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的定義是：它由外部使能信號(hào)控制，并連接或斷開(kāi)電源與給定負(fù)載的連接。與低端負(fù)載開(kāi)關(guān)相比，高端開(kāi)關(guān)為負(fù)載提供電流，而低端開(kāi)關(guān)連接或斷開(kāi)負(fù)載的接地連接，從負(fù)載獲取電流。雖然它們都使用單個(gè)FET，但低端開(kāi)關(guān)的問(wèn)題在于：負(fù)載與接地之間可能短路。高端開(kāi)關(guān)保護(hù)負(fù)載，防止接地短路。但是低端開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)成本更低。有時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)器也配置為推挽開(kāi)關(guān)，需要兩個(gè)MOSFET。參見(jiàn)下方的圖6：

圖6.數(shù)字輸出驅(qū)動(dòng)器使用的不同配置

集成式DO器件可以將多個(gè)DO通道集成到單個(gè)器件中。由于高端、低端和推挽開(kāi)關(guān)使用的FET配置不同，因此可使用不同的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)每種類(lèi)型的輸出驅(qū)動(dòng)器。

感性負(fù)載的內(nèi)置消磁

集成式數(shù)字輸出器件的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一是器件本身內(nèi)置感性負(fù)載消磁功能。

感性負(fù)載是任何包含線(xiàn)圈的器件，在通電后，通常執(zhí)行一些機(jī)械工作，例如電磁閥、電機(jī)和執(zhí)行器。電流引起的磁場(chǎng)可以移動(dòng)繼電器或接觸器中的開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)，以操作電磁閥，或旋轉(zhuǎn)電機(jī)的軸。大多數(shù)情況下，工程師使用高端開(kāi)關(guān)來(lái)控制感性負(fù)載，挑戰(zhàn)在于，當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)，電流不再流入負(fù)載時(shí)，如何給電感放電。不當(dāng)放電導(dǎo)致的負(fù)面影響包括：繼電器觸點(diǎn)可能拉弧、很大的負(fù)電壓尖峰損壞敏感型IC，以及產(chǎn)生高頻噪聲或EMI，進(jìn)而影響系統(tǒng)性能。

在分立式方案中，對(duì)感性負(fù)載進(jìn)行放電的最常見(jiàn)解決方案就是使用續(xù)流二極管。在本電路中，當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，二極管被反向偏置且不導(dǎo)電。當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)，通過(guò)電感的負(fù)電源電壓會(huì)使二極管正向偏置，從而通過(guò)引導(dǎo)電流通過(guò)二極管的方式使存儲(chǔ)能量衰減，直至達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)且電流為零。

對(duì)于許多應(yīng)用，特別是工業(yè)行業(yè)中每個(gè)IO卡具有多個(gè)輸出通道的應(yīng)用，該二極管通常尺寸很大，會(huì)導(dǎo)致成本和設(shè)計(jì)尺寸大幅增加。

現(xiàn)代數(shù)字輸出器件使用一種主動(dòng)箝位電路在器件內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一功能。例如，ADI采用一項(xiàng)已獲專(zhuān)利的安全消磁(SafeDemagTM)功能，允許數(shù)字輸出器件在不受電感限制的情況下安全關(guān)閉負(fù)載。如需更多詳情，請(qǐng)點(diǎn)此訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)站查看應(yīng)用筆記。

在選擇數(shù)字輸出器件時(shí)，需要考慮多個(gè)重要因素。應(yīng)仔細(xì)考慮數(shù)據(jù)手冊(cè)中的以下規(guī)格：

● 查看最大連續(xù)電流額定值，并確保在需要時(shí)可以并聯(lián)多個(gè)輸出，以獲得更高電流的驅(qū)動(dòng)器。

● 確保輸出器件能驅(qū)動(dòng)多個(gè)高電流通道（超過(guò)溫度范圍）。參考數(shù)據(jù)手冊(cè)，確保導(dǎo)通電阻、電源電流和熱電阻值盡可能低。

● 輸出電流驅(qū)動(dòng)精度規(guī)格也很重要。

要從一些超出范圍的工作條件下恢復(fù)，診斷信息就非常重要。首先，希望獲取每個(gè)輸出通道的診斷信息。其中包括溫度、過(guò)電流、開(kāi)路和短路。從整體（芯片）來(lái)看，重要診斷包括熱關(guān)斷、VDD欠壓和SPI診斷。在集成式數(shù)字輸出器件中查找部分或所有這些診斷。

可編程數(shù)字輸入/輸出器件

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通過(guò)在IC上集成DI和DO，就能構(gòu)建可配置產(chǎn)品。這是一個(gè)4通道產(chǎn)品示例，可以配置為輸入或輸出。

圖7.4通道實(shí)現(xiàn)方案的可配置DI/DO產(chǎn)品

它有一個(gè)DIO內(nèi)核，這意味著可以在高端或推挽模式下將單個(gè)通道配置為DI（1/3型或2型）或數(shù)字輸出。DO上的限流值可以設(shè)置為130mA至1.2A。內(nèi)置消磁功能。要在1/3型或2型數(shù)字輸入之間切換，則只需設(shè)置一個(gè)引腳，無(wú)需使用外部電阻。

這些器件不僅易于配置，而且堅(jiān)固耐用，可在工業(yè)環(huán)境中工作。這意味著高ESD，提供高達(dá)60V的電源電壓保護(hù)和線(xiàn)路接地浪涌保護(hù)。

由此可見(jiàn)，這是一個(gè)可通過(guò)集成式方法來(lái)實(shí)現(xiàn)更多可能（可配置的DI/DO模塊）的示例。

結(jié)論

當(dāng)設(shè)計(jì)高密度數(shù)字輸入或輸出模塊時(shí)，一旦通道密度超過(guò)一定數(shù)量，分立式方案就變得毫無(wú)意義。從散熱、可靠性和尺寸方面考慮，必須仔細(xì)考慮集成式器件選項(xiàng)。

而在選擇集成式DI或DO器件時(shí)，則必須注意一些重要的數(shù)據(jù)要點(diǎn)，包括可靠的工作特性、診斷、支持多種輸入-輸出配置。

關(guān)于ADI公司

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審核編輯：湯梓紅