臺(tái)積電3nm即將量產(chǎn) 2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
最近，臺(tái)積電總裁魏哲佳出席2022臺(tái)積電技術(shù)論壇，他表示臺(tái)積電的3納米工藝技術(shù)即將量產(chǎn)，2納米工藝保證在2025年量產(chǎn)。
據(jù)了解，臺(tái)積公司的3納米技術(shù)仍然基于成熟的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)。與5nm工藝相比，性能提高了10%-15%，功耗降低了25%-30%，晶體管密度提高了約70%。N3E、N3P和其他強(qiáng)化工藝將在3nm工藝大規(guī)模生產(chǎn)一年后投入生產(chǎn)。與7nm系列（包括6nm）和5nm系列（包含4nm）一樣，3nm工藝將成為臺(tái)積電收入貢獻(xiàn)的下一大節(jié)點(diǎn)。
根據(jù)臺(tái)積電在2022年技術(shù)研討會(huì)上宣布的未來先進(jìn)工藝信息，N3工藝將于2022年量產(chǎn)，其次是N3E、N3P、N3X等，其中N3E將于明年量產(chǎn)。與臺(tái)積電的2納米技術(shù)和3納米技術(shù)相比，臺(tái)積電2納米技術(shù)的效率大大提高。在相同的功耗下，速度提高10-15%，或在相同的速度下，功耗降低25-30%。
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審核編輯：郭婷
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