項目中由于成本的考慮，對抗ESD的器件不會全部選擇TVS，轉而用便宜的MLCC電容代替。典型的防靜電電容不過是個普通的片狀電容，為什么能防ESD呢，原理是什么？

以IEC61000-4-2標準人體靜電模型（HBM）為例，下圖是靜電發生器等效模型。Vx是合成電壓，Cx為待測件DUT（Device under test），Rc為充電電阻，Cd為充電電容，Rd為放電電阻。簡單的工作原理就是：充電開關1閉合，放電開關2斷開，高壓電源Vd通過Rc對Cd充電；充電開關1斷開，放電開關2閉合，Cd儲存電荷對DUT放電。到此可以發現電容對抗靜電的原理就是能量的轉移，將Cd儲存的能量瞬間轉移到放電時的Cd和Cx上面。

一般而言，對于電源等速率不高的連接器輸入端通常會使用Cx=100nF/50V規格的電容。IEC61000-4-2標準 Cd=150pF，Rd=330Ω，根據Q=CU，試驗等級8KV時，我們來驗證下容值和額定耐壓值是否符合要求。

1.Cx=100nF

Vx = Cd * Utest /(Cd + Cx)=150pF*8KV/(150pF+100nF)= 11.98V < 50V

2.Vx Rated Power=50V

Cx = Cd * ( Vx - 50 )/ 50=150pF*( 8KV - 50 )/ 50 =22.5nF< 100?nF

Cx，Vx的最小值均不超過Cx=100nF/50V，滿足ESD電容選型要求。對于更高級別的ESD放電電壓可根據實際情況進行計算即可。

編輯：黃飛