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基于MATLAB的單相半橋和全橋逆變器

科技觀察員 ? 來源:circuitdigest ? 作者:Ravi Kansagara ? 2022-09-21 15:23 ? 次閱讀

交流 (AC電源用于幾乎所有的住宅、商業和工業需求。但交流電最大的問題是它無法存儲以備將來使用。因此,交流電轉換為直流電,然后直流電存儲在 電池 和 超級電容器中。現在,每當需要交流電時,直流電再次轉換為交流電以運行基于交流電的設備。因此 ,將直流電轉換為交流電的裝置稱為逆變器

對于單相應用,使用單相逆變器。單相逆變器主要有兩種類型:半橋逆變器和全橋逆變器。在這里,我們將研究如何構建這些逆變器,并將在 MATLAB 中模擬電路。

半橋逆變器

這種類型的逆變器需要兩個電力電子開關 (MOSFET)。MOSFET 或 IGBT 用于開關目的。半橋逆變器的電路圖如下圖所示。

poYBAGMqu6qAXfOmAACVpnJwgto680.png

如電路圖所示,輸入直流電壓為 Vdc = 100 V。此電源分為兩個相等的部分。現在向 MOSFET 提供柵極脈沖,如下圖所示。

poYBAGMqu56AB2UMAABhb_0wZ1k159.png

根據輸出頻率決定 MOSFET 的 ON 時間和 OFF 時間,并產生柵極脈沖。我們需要50Hz 的交流電源,因此一個周期 (0 《 t 《 2π) 的時間周期為 20 毫秒。如圖所示,MOSFET-1在前半個周期(0 《 t 《 π) 內被觸發,在此期間 MOSFET-2 不被觸發。在此時間段內,電流將沿下圖箭頭方向流動,完成交流輸出的半個周期。來自負載的電流從右到左,負載電壓等于+Vdc/2。

pYYBAGMqu5qANq9oAACQTwq46WA188.png

在后半周期(π 《 t 《 2π),MOSFET-2 被觸發,低壓源與負載相連。來自負載的電流是從左到右的方向,負載電壓等于-Vdc/2。在這段時間內,電流將如圖所示流動,完成交流輸出的另一半周期。

全橋逆變器

在這種類型的逆變器中,使用了四個開關。半橋和全橋逆變器的主要區別在于輸出電壓的最大值。在半橋逆變器中,峰值電壓是直流電源電壓的一半。在全橋逆變器中,峰值電壓與直流電源電壓相同。全橋逆變器的電路圖如下圖所示。

pYYBAGMqu5WAGO3yAACaYpEn2KY253.png

MOSFET 1 和 2 的柵極脈沖相同。兩個開關同時工作。類似地,MOSFET 3 和 4 具有相同的柵極脈沖并同時工作。但是,MOSFET 1 和 4(垂直臂)絕不會同時工作。如果發生這種情況,則直流電壓源將被短路。

對于上半周期(0 《 t 《 π),MOSFET 1 和 2 被觸發,電流將如下圖所示流動。在這個時間段內,電流從左向右方向流動。

poYBAGMqu5KAVRq1AACIg_zbE8s388.png

對于下半周期(π 《 t 《 2π),MOSFET 3 和 4 被觸發,電流將如圖所示流動。在這個時間段內,電流從右向左方向流動。在這兩種情況下,峰值負載電壓與直流電源電壓 Vdc 相同。

poYBAGMqu46AQeb1AADpD2Bwnis913.png

MATLAB中半橋逆變器的仿真

對于仿真,在 Simulink 庫的模型文件中添加元素。

1) 2 個直流電源 – 每個 50V

2) 2 個 MOSFET

3) 阻性負載

4) 脈沖發生器

5) 非門

6) 電源貴

7) 電壓測量

8) GOTO 和 FROM

根據電路圖連接所有組件。半橋逆變器模型文件的屏幕截圖如下圖所示。

pYYBAGMqu4mAJWSgAADkjOzT9f8565.png

柵極脈沖 1 和柵極脈沖 2 是 MOSFET1 和 MOSFET2 的柵極脈沖,由柵極發生器電路產生。門脈沖由 PULSE GENERATOR 生成。在這種情況下,MOSFET1 和 MOSFET2 不能同時觸發。如果發生這種情況,則電壓源將短路。當 MOSFET1 關閉時,MOSFET2 將打開,當 MOSFET2 關閉時,MOSFET1 將打開。因此,如果我們為任何一個 MOSFET 生成柵極脈沖,那么我們可以切換該脈沖并用于其他 MOSFET。

門脈沖發生器

poYBAGMqu4aALwu1AAC3JzKt_B0130.png

pYYBAGMqu4KAIQ3BAAII0fRatvY327.png

上圖顯示了MATLAB 中脈沖發生器模塊的參數。周期為2e -3 表示 20 毫秒。如果需要 60Hz 頻率輸出,則周期為 16.67 毫秒。脈沖寬度以周期百分比表示。這意味著,僅針對該區域生成柵極脈沖。在這種情況下,我們將其設置為 50%,這意味著產生了 50% 的周期門脈沖,而沒有產生 50% 的周期門脈沖。相位延遲設置為 0 秒,這意味著我們沒有給門脈沖任何延遲。如果有任何相位延遲,則意味著在此時間之后將產生門脈沖。例如,如果相位延遲為 1e-3,則門脈沖將在 10 毫秒后產生。

通過這種方式,我們可以為 MOSFET1 生成柵極脈沖,現在我們將切換此柵極脈沖并將其用于 MOSFET2。在模擬中,我們將使用邏輯非門。與輸出相反的非門意味著它將1轉換為0和0轉換為1。這就是我們可以精確地獲得相反的門脈沖的方法,這樣直流電源就不會短路。

實際上,我們不能使用 50% 的脈沖寬度。MOSFET 或任何電源電氣開關需要很短的時間才能關閉。為避免源極短路,脈沖寬度設置在 45% 左右,以留出 MOSFET 關斷的時間。此時間段稱為死區時間。但是,出于模擬目的,我們可以使用 50% 的脈沖寬度。

半橋逆變器的輸出波形

poYBAGMqu3yAH6f2AAA9jXw2Qsc502.png

此屏幕截圖適用于負載上的輸出電壓。在這張圖中,我們可以看到,負載電壓的峰值為 50V,是直流電源的一半,頻率為 50Hz。對于完整的一個周期,所需時間為 20 毫秒。

MATLAB中全橋逆變器的仿真

如果你得到半橋逆變器的輸出,那么很容易實現全橋逆變器,因為大多數事情都保持不變。在全橋逆變器中,我們只需要兩個柵極脈沖,這與半橋逆變器相同。一個柵極脈沖用于 MOSFET 1 和 2,該柵極脈沖的反相用于 MOSFET 3 和 4。

所需元素

1) 4 – MOSFET

2) 1 個直流電源

3) 阻性負載

4) 電壓測量

5) 脈沖發生器

6) GOTO 和 FROM

7) 電源GUI

連接所有組件,如下面的屏幕截圖所示。

pYYBAGMqu2eAU69eAAFsn83nxjg610.png

全橋逆變器的輸出波形

pYYBAGMqu2KARWdDAAD0OgZBiZU557.png

此屏幕截圖適用于負載上的輸出電壓。在這里我們可以看到,負載電壓的峰值等于100V的直流電源電壓。

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